Infineon IM828-XCC 1200v CoolSiC IPM电源平面图分析

联系我们

产品代码
再生能源- 2103 - 801
发布日期
可用性
在创建
产品项目代码
INF-IM828XCCXKMA1
设备制造商
英飞凌
设备类型
碳化硅功率场效应晶体管
订阅
功率半导体元件
通道
功率半导体-碳化硅(SiC)平面图
报告的代码
再生能源- 2103 - 801
本文介绍了从英飞凌I M828XCCXKMA1中提取的英飞凌SiC MOSFET模具的分析。

本报告载有以下详细资料:
  • 选定拆卸照片，包装照片，包装x射线，模具标记，模具照片
  • 扫描电镜横截面显微照片的模具介电材料的一般结构，主要特征，和晶体管
  • 主要微观结构特征的垂直和水平尺寸测量
  • 延后到多晶硅层的模具的平面光学显微照片
  • 多晶硅模照片上主要功能块的识别
  • 功能块尺寸和模具利用率百分比表
  • CircuitVision软件提供高分辨率的顶级金属和多晶硅模具照片
  • 模具和测试包装模具的成本，基于观察过程的制造成本分析
login or register as a guest.">查看目录
TechInsights图书馆

一个独特的可靠的，准确的数据在你的指尖

我们的分析深入到需要揭示内部工作原理和秘密背后的广泛的产品。

了解更多

搜索我们的分析和网站

相关分析 制造商 分析类型 订阅频道
东芝TW070J120B 1200V碳化硅(SiC)工艺流程分析 东芝 过程 功率半导体-碳化硅(SiC)工艺流程
Infineon IM828-XCC 1200v CoolSiC IPM电源平面图分析 英飞凌 包装 功率半导体-碳化硅(SiC)平面图
UJ4C075018K4S 750v, 18 mΩ Gen. 4 SiC FET Power Essentials UnitedSiC 过程 电源半导体-电源必需品
UnitedSiC 750 V 18 mΩ Gen 4 SiC FET功率平面图分析 UnitedSiC 过程 功率半导体-碳化硅(SiC)平面图
Wolfspeed/Cree C3M0015065D Gen3 650V SiC Power Essentials 克里族 过程 电源半导体-电源必需品
EXA06C065LDS0 650V GaN电源平面图分析 ExaGaN 过程 功率半导体-氮化镓(GaN
高效电源转换EPC2218 100v GaN电源平面图分析 高效能量转化 平面布置图 功率半导体-氮化镓(GaN
GeneSiC G2R120MT33J 3300V 120 mΩ SiC MOSFET功率平面图分析 诞生的 过程 功率半导体-碳化硅(SiC)平面图
意法半导体masterergan1电源封装分析 意法半导体 包装 功率半导体-封装分析
Microsemi MSC025SMA120B 1200V SiC电源平面图分析 Microsemi 过程 功率半导体-碳化硅(SiC)平面图

不要错过techhinsights的最新消息。

所有我们的最新内容更新发送给您几个月。