富士通8 MB 45 nm reram mb85as8mt高级内存要素

联系我们

产品代码
AME-2103-801
发布日期
27/05/2021
可用性
发表
产品项代码
FUJ-MB85AS8MTPF.
设备制造商
富士通
设备类型
勒
订阅
记忆 - 嵌入和新兴
渠道
内存 - 嵌入式和新兴过程
报告代码
AME-2103-801
简明分析概要报告关键设备度量，透射电子显微镜的能量色散X射线光谱（TEM-EDS）和TEM基电子能量损失光谱（TEM-EELS）结果，以及由以下图像支持的突出特征文件夹：
  • 包照片和X射线，顶级金属和多晶硅模具照片
  • 沿单词线（WL）和RERAM模块的位线（BL）的SEM截面
  • 沿BL方向（BLD）的TEM横截面
  • WL方向（BLD）的TEM横截面
  • SEM斜面
    • 内存阵列斜面
    • 多晶硅门级的内存周边
    • 多晶硅门级的内存周边
    TEM-EDS分析结果包含在AME摘要文件中。AME可交付的可交付提供了及时的竞争基准信息，并使在竞争对手的广度上具有成本效益的技术创新。
login or register as a guest.">查看目录
TechInsights图书馆

在指尖的一个独特的信任保险库中，触手可及的准确数据库

我们的分析尽可能深入地揭示了广泛产品背后的内部工作和秘密。

了解更多

搜索我们的分析和网站

相关分析 制造商 分析类型 订阅频道
分析师简报：新兴与嵌入式内存 - 过程 - 2020 12 过程 内存 - 嵌入式和新兴过程
Everspin 1GB 28 NM PMTJ STT-MRAM高级内存要素 Everspin Technologies 过程 内存 - 嵌入式和新兴过程
富士通8 MB 45 nm reram mb85as8mt高级内存要素 富士通 过程 内存 - 嵌入式和新兴过程
富士通MB85RS2MTYPNF 2 MB FRAM记忆平面图分析 富士通 平面图 内存 - 嵌入式和新兴地板分析
Everspin 1GB 28 NM PMTJ STT-MRAM记忆平面图分析 Everspin Technologies 平面图 内存 - 嵌入式和新兴地板分析
富士通8 MB 45 NM RERAM MB85AS8MT记忆平面图分析 富士通 平面图 内存 - 嵌入式和新兴地板分析
三星第2个Gen。45NM EFLASH记忆平面图分析 三星 平面图 内存 - 嵌入式和新兴地板分析
富士通8 MB 45 NM RERAM MB85AS8MT流程满 富士通 过程 内存 - 嵌入式和新兴过程流程
赛普拉斯CY15V104QSN超F-RAM高级内存要领 赛普拉斯半导体 过程 内存 - 嵌入式和新兴过程
Avalanche 40 NM PMTJ STT-MRAM高级内存要素 瑞萨 过程 内存 - 嵌入式和新兴过程

不要错过TechInsights的另一个更新。

我们所有最新的内容更新一次每月发给您几次。