三星K4L2E165YC 12gb 1z nm EUV LPDDR5晶体管描述

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产品代码
tcr - 2102 - 801
发布日期
08/04/2021
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产品项目代码
SAM-K3LK4K40CM-BGCP
设备制造商
三星
设备类型
LPDDR5
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内存- NAND & DRAM
通道
记忆体- DRAM、SWD和SA晶体管特性
报告的代码
tcr - 2102 - 801
本报告介绍了位于三星K3LK4K40CM-BGCP封装内的三星K4L2E165YC LPDDR5 SDRAM芯片的传感放大器和字线驱动器中的NMOS和PMOS晶体管的关键直流电特性。K4L2E165YC芯片采用了三星新的1z纳米DRAM技术节点，采用了具有EUVL的blp (SNLP)，位密度为0.273 Gb/mm2。
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