产品代码
pef - 2012 - 801
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产品项目代码
TOS-TW070J120B
设备制造商
东芝
设备类型
功率场效应晶体管
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功率半导体元件
通道
电源半导体-电源必需品
报告的代码
pef - 2012 - 801
本报告介绍了东芝TW070J120B碳化硅(SiC)为基础的功率场效应晶体管的功率要素(PEF)分析。TW070J120B是一个1200 V n沟道增强模式MOSFET，集成了肖特基势垒二极管(SBD)。完整的PEF交付包括一页总结观察到的设备指标和突出的特点，由以下无注释的图像文件夹支持:
Power Essentials提供了基本的竞争基准信息，并能够有效地跟踪多个竞争对手的技术。
- 包装光学照片，包装x射线图像，模具照片，模具特征的光学照片
- 扫描电子显微镜(SEM)的平面视图图像的器件延迟到门水平
- 设备结构的剖面图扫描电镜图像
- 详细的横截面扫描微波阻抗显微镜(sMIM)分析掺杂剂的结构
- 标准PEF项目的图像集来源于用于扫描电镜平面分析的延迟样品、用于扫描电镜结构分析的单面横截面和用于详细结构分析的单个sMIM样品。附加价值的信息，如额外的横断面平面，可能包括在个案的基础上
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对新兴功率制程半导体产品进行定期、简洁的分析
基于事实的分析新兴功率半导体技术，使用氮化镓(GaN)和碳化硅(Sic)，创新，竞争硅(Si)的使用。