STMicroelectronics masterergan1 600 V Half-Bridge Driver with Two e-Mode GaN HEMT Power Essentials概述

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产品代码
pef - 2010 - 801
发布日期
29/01/2021
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产品项目代码
STM-MASTERGAN1
设备制造商
意法半导体
设备类型
氮化镓功率集成电路
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功率半导体元件
通道
电源半导体-电源必需品
报告的代码
pef - 2010 - 801
本报告介绍了意法半导体masterergan1器件的功率平面图分析。masterergan1具有600 V, 150 mΩon-resistance半桥电路，氮化镓高电子迁移率晶体管，650 V漏源极击穿电压(V(BR)DS)，以及硅基双极cmos - dmos栅极驱动器[1]。本报告的重点是GaN HEMT的死亡。
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