联系我们 产品代码 MDP-2010-801 发布日期 18/12/2020 可利用性 出版 产品项目代码 SAN-TP70G76AWV 设备制造商 桑迪克斯 设备类型 NAND闪存 订阅 存储器-NAND和DRAM 频道 存储器NAND外围设计 报告代码 MDP-2010-801 以下是Kioxia/Sandisk TP70G76AWV 96L 3D NAND闪存的内存外围设计。该设备为QLC，密度为1.33Tb。 login or register as a guest.">查看目录 一个独特的可靠、准确的数据存储库，触手可及 我们的分析尽可能深入，以揭示各种产品背后的内部工作原理和秘密。 了解更多 搜寻我们的分析和网站 从今天开始搜索我们的图书馆 提交 相关分析 制造商 分析类型 订阅频道 英特尔144L QLC 1Tb 3D NAND内存外设设计 英特尔 电路 存储器NAND外围设计 英特尔144L QLC 1Tb 3D NAND高级内存软件包 英特尔 过程 内存进程 三星K4C8E1K6MX第二代8 Gb HBM2 DRAM内存布局图分析 三星 平面布置图 内存-DRAM平面图分析 英特尔29F08T2A0CQK1 144L 3D NAND内存布局图分析 英特尔 平面布置图 内存NAND平面图分析 三星128L 512 Gb TLC芯片内存布局图分析 三星 平面布置图 内存NAND平面图分析 英特尔1 Tb 144L QLC 3D NAND的内部波形概述 英特尔 其他 内存-NAND内部波形概述 Micron Gen2 1y nm 8 Gb GDDR6内存布局图分析 微米技术 平面布置图 内存-DRAM平面图分析 三星12 Gb 1z EUV LPDDR5高级内存软件 三星 过程 内存进程 三星92L QLC 3D NAND内部波形概述 三星 系统 内存-NAND内部波形概述 三星1x nm 4 Gb LPDDR4X内存布局图分析 三星 平面布置图 内存-DRAM平面图分析 不要错过TechInsights的另一个更新。 我们所有最新的内容更新每月发送给您几次。
