SK海力士128L 3D NAND内存设计外围- NAND

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产品代码
mdp - 2008 - 801
发布日期
09/12/2020
可用性
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产品项目代码
HYN-H25T2TB88E
设备制造商
海力士
设备类型
快闪记忆体
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内存- NAND & DRAM
通道
内存-非与外设设计
报告的代码
mdp - 2008 - 801
以下是对SK海力士H25T2TB88E 128层3D NAND闪存的内存外设设计分析。该器件是一种基于电荷陷阱闪光(CTF)设计的TLC NAND存储器，具有单元(PUC)架构下的外围电路。SK海力士H25T2TB88E采用DQS (data strobe)信号，在NV-DDR2/NVDDR3接口中提供数据DQ同步的硬件方法。
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