产品代码
tcr - 2007 - 801
可用性
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产品项目代码
麦克风mt40a4g4jc - 062 e_e
设备制造商
美光科技
设备类型
DDR4更快
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内存- NAND & DRAM
通道
记忆体- DRAM、SWD和SA晶体管特性
报告的代码
tcr - 2007 - 801
本报告介绍了位于美光技术mt40a4g4fc - 062e:E DDR4 SDRAM BGA封装内的Z32D芯片的传感放大器和字线驱动区NMOS和PMOS晶体管的关键直流电特性。这是业界首个商业化的1z nm DRAM技术节点，比特密度最高(0.247 Gb/mm2，比Micron 1y nm 16gb DDR4芯片增加了25%)，细胞尺寸最小(0.0020µm2，比Micron 1y nm减少了17%)。
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