STMicroelectronics SCTH90N65G2V-7 650 V碳化硅功率MOSFET功率要点概述

产品代码
pef - 2005 - 801
发布日期
26/06/2020
可用性
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产品项目代码
STM-SCTH90N65G2V-7
设备制造商
意法半导体
设备类型
碳化硅功率场效应晶体管
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功率半导体元件
通道
电源半导体-电源必需品
报告的代码
pef - 2005 - 801
本报告介绍了意法半导体SCTH90N65G2V-7功率碳化硅(SiC)基MOSFET的分析。SCTH90N65G2V-7是一款650 V, 116 a, n沟道增强模式MOSFET,采用意法半导体先进和创新的第二代MOSFET技术开发,具有单位面积极低的通阻和非常好的开关性能。

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