Micron Technology MT62F1G64D8CH-036 WT: 1y nm 12gb LPDDR5 SDRAM晶体管特性

本报告介绍了位于Micron Technology Y2BM芯片MT62F1G64D8CH-036 WT:A LPDDR5 SDRAM的传感放大器和字线驱动区域的NMOS和PMOS晶体管的关键直流电特性。美光的LPDDR5 DRAM提供卓越的能效和更快的数据访问速度，以满足消费者对智能手机中人工智能(AI)和5G功能不断增长的需求。与前几代相比，该设备的数据访问速度提高了50%，功耗提高了20%以上。美光的下一代LPDDR5内存是为了满足5G网络的需求而设计的，5G网络将于2020年开始在全球大规模部署。美光LPDDR5允许5G智能手机以高达6.4 Gbps的峰值速度处理数据，这对于防止5G数据瓶颈至关重要。