产品代码
tcr - 1912 - 801
可用性
发表
产品项目代码
麦克风- mt53d512m64d4fl - 046
设备制造商
美光科技
设备类型
LPDDR4X
订阅
内存- NAND & DRAM
通道
记忆体- DRAM、SWD和SA晶体管特性
报告的代码
tcr - 1912 - 801
本报告介绍了位于美光科技MT53D512M64D4FL-046 LPDDR4 SDRAM Z21M芯片的传感放大器和字线驱动区域的NMOS和PMOS晶体管的关键直流电特性。MT53D512M64D4FL-046是从iPhone 11 Pro A2217智能手机中提取的。这是美光公司的第一个1y纳米低功耗DRAM，每个芯片有8gb LPDDR4。该模具的微密度为0.197 Gb/mm2，细胞大小为0.002438µm2。
您需要的内存分析
巨额的前期研发投资要求客户拥有最新和准确的竞争情报。首先要弄清楚在制定产品策略时面临的挑战。