SK海力士HFB1A8MQ431A0MR 96L 3D NAND内存外围设计

联系我们

产品代码
mdp - 1909 - 801
发布日期
19/12/2019
可用性
发表
产品项目代码
HYN-HFB1A8MQ431A0MR
设备制造商
海力士
设备类型
快闪记忆体
订阅
内存- NAND & DRAM
通道
内存-非与外设设计
报告的代码
mdp - 1909 - 801
本文是对SK海力士HFB1A8MQ431A0MR 96层3D NAND闪存的内存外设设计分析。该器件是一种基于电荷陷阱flash (CTF)设计的TLC NAND存储器，具有单元(PUC)架构下的外围电路。
login or register as a guest.">查看目录
TechInsights图书馆

一个独特的可靠的，准确的数据在你的指尖

我们的分析深入到需要揭示内部工作原理和秘密背后的广泛的产品。

了解更多

搜索我们的分析和网站

相关分析 制造商 分析类型 订阅频道
Intel 144L QLC 1Tb 3D NAND内存外设设计 英特尔 电路 内存-非与外设设计
英特尔144L QLC 1Tb 3D NAND高级内存要领 英特尔 过程 内存,进程
三星K4C8E1K6MX 2 Gen. 8gb HBM2 DRAM内存平面图分析 三星 平面布置图 内存- DRAM平面图分析
Intel 29F08T2A0CQK1 144L 3D NAND内存平面图分析 英特尔 平面布置图 内存- NAND平面图分析
三星128L 512 Gb TLC芯片内存平面图分析 三星 平面布置图 内存- NAND平面图分析
英特尔1tb 144L QLC 3D NAND的内部波形概述 英特尔 其他 内存- NAND内部波形概述
美光Gen2 1y nm 8gb GDDR6内存平面图分析 美光科技 平面布置图 内存- DRAM平面图分析
三星12gb 1z EUV LPDDR5高级内存要领 三星 过程 内存,进程
三星92L QLC 3D NAND内部波形概述 三星 系统 内存- NAND内部波形概述
三星1x nm 4gb LPDDR4X内存平面图分析 三星 平面布置图 内存- DRAM平面图分析

不要错过techhinsights的最新消息。

所有我们的最新内容更新发送给您几个月。