三星klagar1fa - b2c1 92L 3D V-NAND Flash内存平面图分析

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产品代码
生产商- 1903 - 803
发布日期
13/06/2019
可用性
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产品项目代码
SAM-KLUGGAR1FA-B2C1
设备制造商
三星
设备类型
快闪记忆体
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内存- NAND & DRAM
通道
内存- NAND平面图分析
报告的代码
生产商- 1903 - 803
本报告介绍了从三星Galaxy S10+智能手机中提取的三星klagar1fa - b2c1包中发现的三星K9AHGD8J0A 3D V-NAND闪存芯片的内存平面图分析。
本报告载有以下详细资料:
  • 选定拆卸照片，包装照片，包装x射线，模具标记，模具照片
  • 扫描电子显微镜(SEM)对模具介质材料的一般结构、位线(BL)和字线(WL)方向的主要特征进行了切片显微观察
  • 垂直通道水平中部和斜面样品的BL水平的扫描电镜平面图显微照片
  • 主要微观结构特征的垂直和水平尺寸测量
  • 延后到多晶硅层的模具的平面光学显微照片
  • 多晶硅模照片上主要功能块的识别
  • 功能块尺寸和模具利用率百分比表
  • CircuitVision软件提供高分辨率的顶级金属和多晶硅模具照片
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