产品代码
MFR-1903-802
可利用性
出版
产品项目代码
SAM-KLUFG8R1EM-B0C1
设备制造商
三星
设备类型
NAND闪存
订阅
存储器-NAND和DRAM
频道
内存NAND平面图分析
报告代码
MFR-1903-802
本报告介绍了三星K9AHGD8U0M芯片的内存平面图分析，该芯片位于三星KLUFG8R1EM-B0C1 3D V-NAND TLC闪存封装内。
本报告包含以下详细信息：
本报告包含以下详细信息：
- 选定的拆卸照片、包装照片、包装X射线、模具标记和模具照片
- 模具介质材料、主要特征和晶体管的一般结构的SEM横截面显微照片
- 延迟至WL和BL层的模具平面图SEM显微照片
- 主要微观结构特征的垂直和水平尺寸测量
- 延迟至多晶硅层的模具平面图光学显微照片
- 多晶硅芯片照片上主要功能块的识别
- 功能块尺寸和模具利用率百分比表
- CircuitVision软件中提供的高分辨率顶部金属和扩散级模具照片
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我们的分析尽可能深入，以揭示各种产品背后的内部工作原理和秘密。