产品代码
tcr - 1901 - 802
可用性
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产品项目代码
HYN-H5AN8G8NCJR-VKC
设备制造商
海力士
设备类型
DDR4更快
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内存- NAND & DRAM
通道
记忆体- DRAM、SWD和SA晶体管特性
报告的代码
tcr - 1901 - 802
本报告介绍了位于SK海力士H5AN8G8NCJR-VKC DDR4 SDRAM器件内部的SK海力士8G-ALDDR4B芯片的感测放大器和字线驱动区域的NMOS和PMOS晶体管的关键直流电特性。H5AN8G8NCJR-VKC是一款高速DDR4 SDRAM，使用8n预取架构实现高速操作。
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