TechInsight的内部波形分析项目包括:
- 快闪记忆体
- 独立应用程序中的闪存
- 嵌入式闪存在诸如微控制器的应用中
- 相机和手机中的图像传感器
- OLED和LCD像素显示在手机、显示器和电视机上
对于闪存，波形分析提供了编程算法的细节，以及在各种设备操作和模式中编程、读取和擦除存储器单元所需的内部产生的电压的测量。在有源探针安排中测试存储器，并在设备操作期间记录所选信号的电压轨迹。
我们的波形分析涉及目标信号的内部信号探测，以解释电路功能和系统算法，包括：
- 闪存编程所需的算法程序，读取和擦除存储器/存储设备
- CMOS图像传感器的像素运算算法用于感知和读出图像
- DRAM数据路径操作和定时
项目流程主要步骤
1.电路提取
2.包装分析（解敷和修改）
3.Flash程序员和外部功能测试
4.探头垫放置(FIB)
5.波形捕获与分析
1.电路提取
提取的原理图通常是同一设备/模的已完成电路报告(CAR)的一部分。如果没有CAR可用，首先需要对感兴趣的区域进行电路提取，以识别布局上感兴趣的信号，并确定是否可访问。
了解更多信息电路提取．
3.闪存程序员和外部功能测试
各种flash编程单元被用于在不同的操作模式(如异步、多平面、特定的供应商命令等)中操作NAND和NOR闪存包。
NAND闪存的命令和解决可能会有所不同从设备到设备(例如每个块的页数,wordline解决vs页面寻址,TLC vs多层陶瓷,命令前缀,等),所以设备数据表是最快的方法获取这些信息来生成适当的flash程序员司机基于数据表
如果设备数据表未公开可用，则外部功能测试将内存系统（如SSD，电话，SD卡）内的闪存包连接到逻辑分析仪，以捕获控制器和NAND闪存设备之间的通信在系统操作期间，确定操作设备所需的命令和寻址方法。
然后，从外部功能测试中获得和分析的命令和寻址信息被用于生成适当的闪存程序员驱动程序来操作目标NAND闪存设备
了解更多信息功能测试．
4.探针垫放置（FIB）
FIB垫放置的挑战包括:
- 在当前的NAND闪存中较小的进程节点
- 金属化材料，厚度和宽度
- 在NAND闪存中较低金属和线间距的位线路接入到FIB BL信号（可能需要额外的FIB编辑）
- M2和M1上较低的金属信号很难在CMOS类型3D-NAND设备上的阵列上进行FIB(后侧FIB可能是一个选项)
了解更多信息功能测试．
5.波形捕获和分析
两种类型的NAND内部WAR交付:标准报告和自定义报告。
标准报告包括预定义的信号集，例如Wordline，Bitline，Sourceline，Pwell等（〜10个信号总计）。该报告将包括NAND设备的所有内存状态的所有程序，读取和擦除波形，例如，在TLC设备状态000中到状态111，标记电压和状态分布的摘要图
自定义报告可以包括客户端需要的多个信号，例如，页面缓冲电路上的所有信号通过分析信号的施加电压和定时来了解电路操作。
自定义报告也可以包括程序，读取和擦除波形和任何其他额外的要求，以支持他们的需要
所有报告都将可选地包括所有波形数据的原始数据表文件，其中包含查看器应用程序作为最终可交付的一部分。原始数据表文件允许用户根据需要打开每个波形图形并自定义选择时间尺度，电压尺度和波形颜色
用于3D-NAND闪存中的程序，读取和擦除操作的捕获波形，例如如下所示，提供有关专利相关侵权分析的测试设备的程序算法的详细信息，或仅仅在其他供应商设计/解决方案上了解最新。
在标准型内部波形分析中，还提供了记忆阈值电压分布，总结了不同的记忆状态(MLC器件为4种状态，TLC器件为8种状态)是如何编程和分布的，如下面的两个示例所示:
在本次网络研讨会上，我们将介绍NAND闪存和SSD设备分析技术，包括内部探测、波形分析等
本演讲将探讨NAND Flash和SSD设备的一些创新领域，并概述我们用于分析这些创新的各种测试方法。
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