量身定制的内存分析，以满足您的需求
巨大的上前研发投资要求客户具有最新和准确的竞争情报
我们的分析将未知因素量化，帮助您做出明智的决定。我们可以确定将先进内存推向市场的成本，我们研究潜在的市场挑战，以帮助您确定您的风险是什么，我们帮助您确定降低风险的策略。
可用内存- NAND & DRAM订阅
已经开发了技术知识存储器，以根据您的行业和角色提供您需求的重点技术智能。
DRAM功能分析(MFR)
包括:
- 图像集支持执行摘要
- 工艺节点和铸造标识
- 临界尺寸
- 功能块的总结
- 堆叠光学顶部金属和多模照片提供在CircuitVision。包括校准的测量和注释工具
- 扫描电镜横断面和斜面成像
- 13 - 15报告/年
DRAM: SWD和Sense Amp晶体管特性
包括:
- 转换器特性报告(TCR)
- IOFF与ION、IOFF与ID的通用曲线，LIN由
- 5个NMOS和5个PMOS子字线驱动晶体管，在85°C下跨多个VDD
- 5个NMOS和5个PMOS感测放大器接收器，在85°C的多个VDD上
- 对于每一个通用曲线数据点
- 晶体管特性:我D，坐， 一世D，林， 一世从, VT，林& VT，坐ΔVGS.， G米、SS、DIBL
- 输出特性
- IOFF与ION、IOFF与ID的通用曲线，LIN由
- 分析报道
- 4报告/年
- 趋势分析
- 4小时支持
DRAM外围设计（MDP）：感测放大器，子字数驱动程序
包括:
- 分析师对关键设备指标的简明总结
- 电路识别放大器示意图
- 子字线驱动程序的电路示意图
- 延迟DRAM检测放大器的详细堆叠的SEM图像和在电路中传送的子字线驱动器。包括校准测量和注释工具
- 〜4报告/年
DRAM:电路分析
包括:
- 完整的电路分析
- 1 -内存阵列和外设
- 2 -地址路径
- 3 -数据路径
- 4 -控制块，配置和测试块
- 5 -电压发生器系统
- 分析报道
- 2 /年
与非功能分析
包括:
- 分析报道
- 图像集支持执行摘要
- 工艺节点和铸造标识
- 临界尺寸
- 功能块的总结
- 堆叠光学顶部金属和多模照片提供在CircutVision，其中包括校准的测量工具
- SEM横断面影像
- 13 - 15报告/年
- 图像集支持执行摘要
NAND外围设计(MDP):页缓冲区，字行驱动程序
包括:
- 分析师对关键设备指标的简明总结
- 页缓冲区电路原理图:解码器、开关和控制器
- 字行驱动电路原理图:译码器和开关
- CircuitVision提供的斜面NAND页缓冲区和字行驱动程序的详细堆叠平面视图SEM图像。CircuitVision包括校准的测量和注释工具
- 〜4报告/年
NAND:电路分析
包括:
- 完整的电路分析
- 1 -内存阵列和外设
- 2 -地址路径
- 3 -数据路径
- 4 -控制块，配置和测试块
- 5 -电压发生器系统
- 分析报道
- 2 /年
与NAND内部波形分析
该通道检查在程序、读和擦除周期期间在NAND存储器单元上使用的波形。
- 在12个月内提交8份报告以及一个在线研讨会
- 提供一个波形摘要PDF和原始波形.sht文件，使客户能够执行进一步的分析和测量
先进工艺
包括:
- 高级内存要素(AME)
- 专注于领先的NAND和DRAM存储技术
- 执行摘要支持的大型图像集
- 扫描电镜横断面和斜面成像
- TEM横断面分析与TEM EDS
- 8报告/年
- 分析报道
- 技术趋势/路线图技术因素
- 设计技术交互分析
- 过程集成的详细说明
- 下一个节点的预测
- 3简报/年
- 趋势分析
- 预测
- 1年度研讨会
- 4小时支持
流程流
*需要先进的过程订阅
包括:
- 工艺流程分析(PFA)
- 显示流程、架构、掩码列表和集成级流程步骤的电子表格
- 8内存/年
- 流程全仿真(PFF)
- 可以更新PFA内容
- 布局GDS完全分解为过程层
- 三维仿真
- 概要输入(路线级别甲板)*
*需要Synopsys许可证查看和修改 - 6内存/年
- 分析报道
- 单元设计技术交互分析
- 详细说明从晶圆导入到晶圆输出的过程集成
- 工艺步骤、材料、设备类型、单元工艺
- SEM和TEM横截面和顶视图
- 层注释，具体流程模块，假设
- 趋势分析
- + 4小时的支持
NAND晶体管特性
包括:
- 每年分析4个NAND设备
- 9种类型的晶体管，每个NAND设备为85°C：
［１］感测锁存器TR表征 类别 目标TR 核心 PGBUF 1 PB LV Tr. (NMOS)［１］ 2 PB LV Tr. (PMOS) 3. Pb HV Tr。（BLSLT） 4 PB HV Tr. (BLGIDL) XDEC 5 通过tr。 Perl I / O 6 Thin NMOS (Output Drv.)［2］ 7 Thin PMOS (Output Drv.)［2］ 模拟高压(由XDEC测量) 8 HVP. 9 HVD.
［2］NAND为Dgox时，中N/PMOS - 4报告/年
- 趋势分析
- 4小时支持
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