3月15日，2021年3月15日
河东选择，精明三星EUV微影制程D1z记忆体揭密
经过几个⽉的漫⻑漫⻑之后，三星电气（三星电子）采⽤采⽤紫外光（EUV）微影制程的D1z DRAM终于流量产了！
三星电⼦在今年稍早发表了号称业界⾸创，同时分别采⽤氟化氩浸润式微影（ARF-i）的制程与EUV微影技术的D1z DRAM，⽽TechInsights的很兴奋地宣布，我们针对三星最新/最先进D1z DRAM的拆解分析有⼀些「新发现」，并确认了该技术的⼀些细节。
三星电影⼦开发了d1z 8gb ddr4，d1z 12gb lpddr5与16gb lpddr5 dram元件，并号性能更⾼;我们发表概念⾯款（lpddr5）元件元件应⽤于三星在2021年1⽉刚上市的星系S21 5G系列（包括S21 5G，S21 + 5G与S21 UNTRA 5G）智慧型智慧型机中.12GB的LPDDR5晶片被应Galaxy S21超5G的SM-G998B / DS 12GB RAM，16GB的LPDDR5晶片可⾒于S21 5G与S21+ 5G的8GB RAM中。
在D1z技术节点部份，三星的D1z 12GB LPDDR5比前⼀代的D1y 12GB版本在产量上多了15％，设计规则（d / R）则从（前⼀代D1y制程）17.1奈米，微缩⾄15.7奈米。整体裸晶尺⼨也减少，从53.53平方毫米（D1y）缩⼩⾄43.98平方毫米（D1z），新⼀代晶片比前⼀代约缩⼩18％。
| 项目 | 三星LPDDR5芯片 | |||
|---|---|---|---|---|
| 内存容量 | 8 Gb | 12GB | 12GB | 16 Gb |
| 技术节点 | D1y | D1y | D1z | D1z |
| 母公司产品的例子 | 小米MI 10. | 小米MI 10. | 三星Galaxy S21 Ultra 5G. |
三星Galaxy S21 / S21 + 5G |
| DRAM组件示例 | K3LK3K30EM-BGCN. | K3LK4K40BM-BGCN | K3LK4K40CM-BGCP | K3LK7K70BM-BGCP. |
| 芯片尺寸 | 39.12毫米2. | 53.53毫米2. | 43.98毫米2. | 61.20毫米2. |
| 位Densoty（模具） | 0.205 Gb/mm2. | 0.224 GB / mm2. | 0.273 Gb/mm2. | 0.261 Gb /毫米2. |
| 细胞大小 | 0.00231μm.2. | 0.00231μm.2. | 0.00197µm2. | 0.00197µm2. |
| 承兑交单 | 17.1纳米 | 17.1纳米 | 15.7 nm. | 15.7 nm. |
| EUV光刻应用 | 没有 | 没有 | 是（BLP） | 没有 |
1：8GB，12GB与16GB的三星D1Y与D1zLPDDR5晶片晶片。
晶片标记为K4L6E165YB的16GB LPDDR DRAM晶片晶片是采⽤非EUV技术。三星在于在⼀开启时开发在SNLP（存储节点登陆垫）/ BLP（位线垫）采⽤ARF-I与EUV两种微影技术的D1z LPDDR5，现处于则全以euv snlp / blp微影产D1z LPDDR5。
2019年度，三星发作了采⽤d1x euv微影型技术的100万个模组制品，现处于已经全球dram产业网场推出euv微影技术的卷产（HVM）DRAM产品。三星电机的D1z晶片应该是在洪国平原市（Pyeongtaek）的第第⼆条⼆条⼆条⼆条。
图1：比较三星的DRAM储存单元BLP图片：（a）是不采euv微影技术的版本，（b）是采⽤euv微影技术的版本。
在D1z 12GB LPDDR5元件的演出综合上，三星电池只在⼀层光罩上采⽤euv微影技术，单位snlp（在s / a感测感测器上）电解）的临界临界（CD /间距）约40毫米，S / A区域的BLP线路为13.5米。
图1显⽰的是三星采⽤arf-i微影技术的d1z16gb lpddr5晶片（a）与采⽤euv微影技术的d1z 12gb lpddr5晶片（b）的s / a blp图片比较。藉由利⽤euv微影，在s / a区域的blp线的边缘粗糙度（边缘粗糙度，ler）有所改善，可能也减少桥/短路缺陷。
| 设备 | 美光D1z | 三星D1Z. | 三星D1Z. |
|---|---|---|---|
| 内存容量 | 16 Gb | 12GB | 16 Gb |
| 技术节点 | D1z | D1z | D1z |
| 母公司产品的例子 | MT53E1G32D2NP-046_WT：A（LPDDR4） | K3LK4K40CM-BGCP（LPDDR5） | K3LK7K70BM-BGCP（LPDDR5） |
| 芯片尺寸 | 68.34毫米2. | 43.98毫米2. | 61.20毫米2. |
| 位Densoty（模具） | 0.234 Gb /毫米2. | 0.273 Gb/mm2. | 0.261 Gb /毫米2. |
| 细胞大小 | 0.00204μm.2. | 0.00197µm2. | 0.00197µm2. |
| 承兑交单 | 15.9纳米 | 15.7 nm. | 15.7 nm. |
| EUV光刻应用 | 没有 | 是（BLP） | 没有 |
表2：D1Z DRAM比⼀比⼀：美光D1Z LPDDR4与三星D1Z LPDDR5。
比較來⾃美光(微米)的D1z競爭產品(表2),三星的記憶體單元(0.00197μm2.,美光為0.00204μm2.）与d / r（三星为15.7毫米，美光为15.9毫米）。美光D1z p产品是在没有光照步骤采⽤arf-i微影，可在时间内都不采⽤euv微影，包括d1α与d1β。
圖2：三星德拉姆(從D3x到D1z）記憶體單元尺⼨變化趨勢。
三星從D3x到D1z的DRAM記憶體單元尺⼨與D / R趨勢變化分別如圖2與圖3所⽰。DRAM記憶體單元與D / R微縮近年變得越來越艱難,但三星還是將D1z的D / R縮⼩到15.7奈米,比前⼀代D1y減少了8.2%。
圖三：三星德拉姆(從D3x到D1z）設計規則變化趨勢。
三星将继续为下载DRAM产品加入采⽤EUV微影的光谱次数，即预计2021年度产的D1a与2022年满的D1b。
