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Fitbit Charge将5个超越Fitbit Luxe吗？Stacy Wegner 9月9日，2021年9月9日我们不知道，我们没有评论一个设备是否比上一代更好。我们所做的，看起来并比较几代设备。虽然我们等待我们的Fitbit费用预订5

TSMC 22ULL​​ EMRAM DIA从Ambiq™Apollo4上取出另一个嵌入式内存中的另一个中断技术！嵌入式内存（Ememory）的另一个破坏性产品已到达并快速审查！TSMC已成功开发和商业化22 NM EMRAM产品，具有STT-MRAM技术和

咬合的网络研讨会按需：USB-C功率适配器中GaN技术方法的比较氮化镓（GaN）在适配器和其他电源产品的效率方面提供了令人信服的优势，但以成本效益的方式实现这些效率可能有挑战性。看法

一家渥太华公司，提供全球半导体巨头的详细故障，他们的竞争对手的技术工程如何与领先的硅谷市场研究公司联系，因为它看起来要扩大其企业智力技能。

创新决定加速：TechInsights收购VLSIRESEARCH TechInsights很高兴地宣布收购VLSI Research Inc.，屡获殊荣的市场研究和经济分析提供商覆盖半导体供应链。一起，TechInsights和VLSI很好

NAND记忆技术微米B47R 3D CTF CUA NAND DIE，世界上第一个176L（195T）！Micron的176L 3D NAND是世界上第一个176L 3D NAND闪存。TechInsights刚刚发现512GB 176L模具（B47R模具标记），并快速查看了其过程，结构和模具设计。Micron 176L 3D NAND

功率半导体技术最新的SJ-MOSFET技术，它仍然可以竞争宽带隙吗？现在碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）产品都在市场上产生影响，很容易认为在电力电子器件中不再存在硅（SI）的位置

DRAM内存技术中断产品：第1个DDR5 DIMM哪个技术节点？DDR5是一个新一代的记忆！所有主要的DRAM播放器都向前移动到更快的DRAM DDR5。DDR5也可提高电源管理（DDR4的1.1V与1.2V）。已确认DDR5 DIMM产品中的一个

DRAM记忆技术微米D1α，'14 nm'！DRAM上最先进的节点！D1α！这是14纳米！在微米D1α模具（模具标记：Z41C）和细胞设计上快速查看后，它是德拉姆中最先进的技术节点。此外，它是第一次级15nm小区集成的DRAM产品。微米Z41C

EUV光刻机的战斗逐渐加剧。

来自TechInsights的内存技术亮点2021网络研讨会注册为储存，手机和AIOT市场的内存筹码的强大和日益增长的需求，所有记忆员都在努力提高密度/性能，降低制造成本，并开发新的和