了解工艺技术和性能的全貌
我们的报告解释了技术实现在电子电路、软件和制造过程中的应用。它们被用来获取有关技术创新的情报和发现使用的证据，向技术、法律和专利专业人员证明专利价值。
我们的晶体管和表征分析允许您：
- 了解工艺技术和性能的全貌
- Understand the process, see the performance, spot the trends
- Universal curves for IOFF vs. ION and IOFF vs. ID, LIN; transfer and output characteristics for each universal curve data point
TechInsights的晶体管特性报告分析了逻辑NMOS和PMOS晶体管的直流电特性
该报告包括在-20,25°C和80°C下测量的关键性能基准的图表和列表测量。25°C单温报告也可用。
NMOS和PMOS晶体管的特定直流分析基准包括：
- 线性（VT，LIN）和饱和（VT，SAT）阈值电压
- 驱动电流（ID，SAT）
- 断线电流（ioff）和栅极漏电流（Ig）
- 阈下摆动
- 跨导
- 穿通电压（VPT）
- Process gain factor (k)
- IDS与VGS图形
- IDS与VDS图形
支持数据包括：
- Package photographs and package X-ray
- 模具照片和模糊标记
- NMOS和PMOS晶体管的SEM形貌图
- 显示NMOS和PMOS栅极长度的TEM横截面图像
技巧网络研讨会：技术分析NAND闪存和SSD设备-内部探测，波形分析，等等
本演示文稿探讨了NAND闪存和SSD设备的一些创新领域，并概述了我们用于分析这些创新的各种测试方法。
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