到2023年，全球数字存储设备市场预计将达到1410亿美元，这得益于通过数字服务处理的数据量不断增加。这个市场包括用于存储、交换和检索数据的驱动器，如磁驱动器、光盘驱动器、固态驱动器，当然还有闪存驱动器。
市场驱动因素可以简单地表述，但不能简单地表述：我们希望存储更多的数据、更可靠、更高效和更小的空间。这些看似相互冲突的需求继续推动着数字存储领域的创新，例如最近推出的9X层3D NAND内存产品。
继续看3D NAND空间，我们发现或期待发现的最新产品有：三星92L 3D NAND、东芝96L 3D NAND、美光96L、YMTC 32L 3D NAND和SK hynix 4D（PUC）96L NAND。即使是产品描述也暗示了存储设备市场的行业领导者正在采取的各种方法。制造商们正在利用不同的层数、不同的节点尺寸、不同的粘接和封装技术来创建解决方案，这些技术结合了增量修改，以帮助他们赢得下一代产品的竞争。
随着DRAM市场仍然蓬勃发展，所有主要的DRAM播放器如三星，SK Hynix，Micron和Nanya都渴望开发并释放他们的下一个新的成功缩小一代。前3名DRAM制造商已经通过引入2017年和2018年的1x NM等产品，如三星的1X和1Y LPDDR4X，DDR4和1X GDDR6，如组件，移动和显卡应用程序，如Samsung的1X和1Y LPDDR4X，DDR4和1X GDDR6等产品。DRAM Down-Scaling将在几年内继续。
在新兴内存技术方面，我们将继续监控一些技术及其主要开发人员，包括：
- MRAM，Stt-MRAM（平面MTJ，P-MTJ）：Everspin，Cacus，Avalanche Tech，Sony，TSMC，三星，微米等。
- PCRAM（XPoint）：美光、三星、英特尔、IBM等。
- ReRAM（OxRAM，CBRAM/M-ReRAM）：Crossbar，Panasonic，Adesto，SK hynix，TSMC等。
- Feram：柏树，Rohm半导体，Celis，kentron等。
在研发方面，供应商也正在研究下一个技术几代，为256和512层。“这是一场比赛，”TechInsights的分析师Jeongdong Choe表示。“这是堆栈数量最多的比赛。”
-半导体工程
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