半导体产业发展新的权力过程技术使用碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)小和更有效率,损失较低和较高的击穿电压。
功率半导体通道
- 提供具有成本效益的竞争分析指导战略决策在一个给定的重点区域
- 识别市场的挑战和风险,定义你的消除策略
- 提供一个了解它将成本给市场带来先进的内存
年度目标
- ~ 10 PDF报告,支持图像
分析报道
- 设备指标和特征
- 包x射线和模具照片
- 扫描电镜图像的建立和横截面扫描电镜图像
- 横断面TEM图像和材料分析
分析管理
- 一年三次分析师简报
- 年度专利景观总结
- 年度研讨会
实时更新
- 访问项目工作进展(PEF报告,分析师简报等)才发表
工艺流程分析(PFA)
- 报告显示过程架构,掩码列表和上流程步骤(每年的目标:4)
完整流程模拟(讨论)
- 扩大在PFA中提供的详细报告
- 布局GDS完全分解为过程层
- 提供PDF报告使用Synopsys对此Process Explorer
- 在Synopsys对此操作报告数据(需要Synopsys对此许可证)
- 工艺流程完整的仿真报告支持图像(目标:每年4)
分析师
- 设计技术互动分析
- 流程集成通过wafer-out wafer-in的详细解释
- 流程步骤、材料、设备类型、单元的过程
- SEM和TEM横断面和俯视图图像\层注解,具体的流程模块,假设
- PDF报告
- 公司简介
- 执行概要
- 设备标识:选择拆卸照片(可选),包的照片,包x射线,模具照片,包括死角落和债券垫和延迟器模具照片
- 过程分析:模边缘显示模厚度,晶体管门阵列或死亡边缘密封,晶体管门阵列概述/细节
- 布局分析:注释延迟器模具照片,模具利用率表
- 成本分析
- 文件夹的图片
- 包和模具图片
- 扫描电镜截面图像
- CircuitVision启用高级金属和门级/衬底图片
- ~ 15 /年报告
- PDF报告
- 公司简介
- 执行概要
- 设备标识:选择拆卸照片(可选),包的照片,包x射线,模具照片,包括死角落和债券垫和延迟器模具照片
- 过程分析:模边缘显示模厚度,晶体管门阵列或死亡边缘密封,晶体管门阵列概述/细节
- 布局分析:注释延迟器模具照片,模具利用率表
- 成本分析
- 文件夹的图片
- 包和模具图片
- 扫描电镜截面图像
- CircuitVision启用高级金属和门级/衬底图片
- ~ 15 /年报告
关注的前沿力量包装技术,包括碳化硅、氮化镓,电源管理ic (PMIC),智能电源模块、IGBT、硅场效应管等。
- PDF报告(*内容可能会有所不同取决于目标设备)
- 公司简介
- 执行概要
- 产品拆卸概述
- 包和x射线照片
- 模具照片
- 光学和扫描电镜包横截面分析
- 能谱谱选择包的材料
- 年度目标
- ~ 10 PDF报告,支持图像
- 8小时的专家领域知识支持
- 分析师
- 每年2分析师简报
集中在结构和材料分析PMICs销售龙头线性稳压器,切换监管机构、电压参考,控制器,电池管理芯片,等和跨越应用程序从汽车、消费、工业、通讯、计算机、医疗等等。
权力的基础订阅,电源管理IC (PMIC)过程分析提供了:
- 身份证照片
- 包的照片和x射线
- 包括光学图像在死亡水平和门PMIC水平(从背后保利图像)
- 带注释的死与样本位置(SEM、TEM等)
- 带注释的门级的图像样本,详细说明主要电路模块如逻辑、记忆、电力设备等
- SEM -功率晶体管分析
- 平面图在功率晶体管的斜角
- 横截面的功率晶体管死(在盖茨)
- 扫描电镜-控制电路
- 控制器的横截面区域
- 能谱-材料分析结果,而不是光谱
- 所有金属和电介质
- sMIM / SCM -功率晶体管
- 平面图在功率晶体管的斜角
- 功率晶体管的横截面区域(在盖茨)
- TEM
- 截面功率器件的栅氧化层
- 横截面+连接区域,如通过TEM EDS,金属层之间的接口和介质。
- 横截面的孤立区域接口例如SOI,海沟或深掺杂井
- 特色和比较总结幻灯片
- 介电层的组成和厚度
- 金属层的组成和厚度
- 关键功能水平和垂直的维度
时间表
- ~ 10总结报告和成百上千的高分辨率支持图像/年
- 访问工作进展
- 3分析师简报/年
- 4小时专家支持