我们可以确定成本会给市场带来先进的内存,我们研究潜在市场挑战来帮助你确定你的风险是什么,和我们帮助定义你的消除策略。
记忆——NAND & DRAM频道
- 提供具有成本效益的竞争分析指导战略决策在一个给定的重点区域
- 识别市场的挑战和风险,定义你的消除策略
- 提供一个了解它将成本给市场带来先进的内存
执行概要支持图像集
- 流程节点和铸造识别
- 临界尺寸
- 功能块的总结
- 堆叠光学金属和保利死亡照片在CircuitVision交付。包括校准测量和注释工具
- SEM横向和斜成像
- 13 - 15报告/年
晶体管特性报告(TCR)
- 通用曲线IOFF与离子和IOFF与ID,林来自
- 5 NMOS晶体管和5 PMOS子wordline司机,跨多个VDD在85°C
- 5 NMOS 5 PMOS晶体管放大器,跨多个VDD在85°C
- 对于每一个通用曲线数据点
- 晶体管特性:我D,坐,我D,林,我从,VT,林& VT,坐,ΔVGSG米、SS、DIBL
- 输出特性
分析报道
- 4报告/年
- 趋势分析
- 4小时支持
简洁的分析师关键设备指标的总结
- 读出放大器的电路原理图
- 电路原理图的子wordline司机
- 详细的堆叠SEM图像延迟器DRAM读出放大器和子wordline司机在CircuitVision交付。包括校准测量和注释工具
- ~ 4报告/年
完整的电路分析
- 1 -内存数组和外围设备
- 2 -地址路径
- 3 -数据路径
- 4 -控制块、配置和测试块
- 5 -电压发电机系统
分析报道
- 2 /年
分析报道
- 执行概要支持图像集
- 流程节点和铸造识别
- 临界尺寸
- 功能块的总结
- 堆叠光学金属和保利死亡照片发表在CircutVision包括校准测量工具
- SEM横断面影像
- 13 - 15报告/年
简洁的分析师关键设备指标的总结
- 电路原理图的页面缓冲区:译码器、开关和控制器
- 电路原理图的wordline司机:译码器和开关
- 详细的堆叠计划视图的SEM图像斜NAND页面缓冲区和wordline司机在CircuitVision交付。CircuitVision包括校准测量和注释工具
- ~ 4报告/年
完整的电路分析
- 1 -内存数组和外围设备
- 2 -地址路径
- 3 -数据路径
- 4 -控制块、配置和测试块
- 5 -电压发电机系统
完整的电路分析
- 2 /年
这个通道检查波形用于NAND记忆细胞在程序,读取和清除周期。
- 12个月内交付8报告以及在线研讨会
- 提供了一种波形总结PDF文件和原始波形.sht让客户进行进一步的分析和测量
高级内存必需品(AME)
- 关注前沿NAND和DRAM内存技术
- 执行概要支持的大型图像集
- SEM横向和斜成像
- TEM横断面与TEM EDS分析
- 8报告/年
分析报道
- 技术趋势/技术路线图的元素
- 设计技术互动分析
- 流程集成的详细解释
- 下一个节点的预测
- 3简报/年
- 趋势分析
- 预测
- 1年度研讨会
- 4小时支持
(需要高级流程订阅)
工艺流程分析(PFA)
- 电子表格显示过程中,建筑、掩码列表,和上流程步骤
- 8内存/年
完整流程模拟(讨论)
- PFA的内容可能会被更新
- 布局GDS完全分解为过程层
- 三维仿真
- Synopsys对此输入(Route-Level甲板)*
*需要Synopsys对此许可查看和修改 - 6内存/年
分析报道
- 电池设计技术交互分析
- 流程集成通过wafer-out wafer-in的详细解释
- 流程步骤、材料、设备类型、单元的过程
- SEM和TEM横断面顶视图图像
- 层注解,具体的流程模块,假设
- 趋势分析
- + 4小时的支持
- 每年4 NAND闪存设备进行了分析
- 每年Cross-technology分析和4小时支持
- 10在85°C为每个类型的晶体管特征NAND闪存设备
- 晶体管类型:
- 外围高电压(高压)CSL驱动晶体管
- 页面缓冲区高压BLSLT NMOS晶体管
- 页面缓冲区高压BLGIDL NMOS晶体管
- XDEC NMOS晶体管通过
- XDEC高压损耗晶体管
- XDEC高压PMOS
- 页面缓冲区中气态氧NMOS晶体管
- 页面缓冲区中气态氧PMOS晶体管
- 中期I / O . Gox NMOS晶体管
- I / O . Gox PMOS中期
- 测试结果为每个晶体管类型将包括情节:传递函数、输出功能,身体的效果,击穿电压,跨导(通用),阈值电压(VT)、阈下摇摆(SS)。
- 原始数据文件对所有测量晶体管将被包括在内。