微米d1z16gb DDR4晶体管特性报告

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产品代码
tcr - 2007 - 801
发布日期
可用性
在创建
产品项目代码
麦克风mt40a4g4jc - 062 e_e
设备制造商
美光科技
设备类型
DDR4更快
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内存- NAND & DRAM
通道
存储器- DRAM、SWD和SA晶体管特性
报告的代码
tcr - 2007 - 801
业界首个商业化D1z DRAM技术节点，目前位密度最高;微米的D1z 16gb DDR4模具，0.247 Gb/mm2位密度(比微米D1y 16gb DDR4模具增加25%)，是目前最小的单元尺寸;细胞尺寸0.0020平方英寸m2(微米D1y减小17%)
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