联系我们 产品代码 PFR-2010-801 发布日期 可利用性 在创造中 产品项目代码 CRA-C2M0045170P型 设备制造商 克里族 设备类型 碳化硅功率场效应管 订阅 功率半导体 渠道 电力半导体碳化硅（SiC）平面布置图 报表代码 PFR-2010-801 1） Cree Gen2碳化硅功率MOSFET（2）1700 V/45 mΩ/72 A 一个独特的可靠，准确的数据金库在您的指尖 我们的分析尽可能深入，以揭示各种产品背后的内在运作和秘密。 了解更多 搜索我们的分析和网站 今天就开始搜索我们的图书馆 提交 相关分析 制造商 分析类型 订阅频道 英飞凌IGT60R190D1S 600V CoolGaN电源平面图分析 英飞凌科技 过程 功率半导体氮化镓（GaN）平面图 东芝TW070J120B 1200V碳化硅（SiC）电源平面图分析 东芝 过程 电力半导体碳化硅（SiC）平面布置图 GaN系统GS-065-011-1-L 650V GaN平面图分析 GAN系统 过程 功率半导体氮化镓（GaN）平面图 意法半导体MASTERGAN1 650V GaN电源平面图报告 意法半导体 过程 功率半导体氮化镓（GaN）平面图 意法半导体MASTERGAN1 650V GaN电源设备 意法半导体 过程 功率半导体-功率要素 关于Semi-NVHL080N120SC1 1200V SiC电源平面布置图的分析 半成品 过程 电力半导体碳化硅（SiC）平面布置图 Tranform TP65H035G4WS 650V GaN电源平面图分析 Transphorm公司 过程 功率半导体氮化镓（GaN）平面图 中铁二院C2M0045170P 1700V碳化硅电源平面布置图分析 克里族 平面布置图 电力半导体碳化硅（SiC）平面布置图 分析师简报：电力半导体-PEF-2020 12 系统 功率半导体-功率要素 意法半导体SCTH90N65G2V-7 650V SiC工艺流程分析-电源 意法半导体 过程 电力半导体碳化硅工艺流程
