InnoSCINGS Inn650D02 650 V增强模式GaN Power FET Power Essentials摘要

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产品代码
PEF-2009-801.
发布日期
26/11/2020
可用性
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产品项目代码
IS1-Inn650D02
设备制造商
Innoscience.
设备类型
GaN Power FET.
订阅
功率半导体
渠道
功率半导体 - 功率要领
报告代码
PEF-2009-801.
本报告提出了INNOSCIENCE INN650D02，650 V，200MΩ，通常在氮化镓（GaN）动力FET上的功率要点分析。该装置采用高压电源GaN高电子移动晶体管（HEMT）。Inn650D02由TechInsights在东莞瑞恒电子RH-PD65W 65 W GaN充电器中找到。
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