
产品代码
PEF-2007-801
可用性
出版
产品项目代码
INF-IMBF170R450M1XTMA1
设备制造商
Infineon
设备类型
MOSFET
订阅
功率半导体
渠道
电源半导体 - 电源要素
报告代码
PEF-2007-801
图片

该报告介绍了Infineon IMBF170R450M1XTMA1基于SIC的Power FET的分析。IMBF170R450M1XTMA1是1700 V COOLSIC™N通道增强模式MOSFET。该设备具有9.8 A和450MΩ的最大连续源/排水电流,抗抗性,并设计用于不间断的电源(UPS),太阳能PV逆变器,太阳能收集和EV充电基础设施应用。

对新兴电源过程半导体产品进行定期,简洁的分析
基于事实的使用氮化盐(GAN)和碳化硅(SIC)以及创新的硅(SI)对新兴功率半导体技术的分析。