Power Integrations INN3370C-H302-TL GaN Power Essentials文件夹

联系我们

产品代码
pef - 2005 - 802
发布日期
23/07/2020
可用性
发表
产品项目代码
POB-INN3370C-H302-TL
设备制造商
功率集成公司
设备类型
氮化镓功率集成电路
订阅
功率半导体元件
通道
功率半导体-功率概要
报告的代码
pef - 2005 - 802
本报告介绍了电源集成INN3370C-H302-TL InnoSwitch3-Pro家族与PowiGaN电源概要分析TM技术。INN3370C-H302-TL是一个750伏数字可控(通过I2C接口)，离线恒压/恒流CV/CC准谐振(QR)反激开关集成电路(IC)。该设备在cascode配置中结合了高电压(HV) 750伏功率GaN正常上高电子迁移率晶体管(HEMT)开关和硅(Si) MOSFET。集成器件包括两个控制器ASIC模具。
login or register as a guest.">查看目录
功率半导体元件订阅

得到规则，简洁的新兴电源过程半导体产品分析

基于事实的分析，使用氮化镓(GaN)和碳化硅(Sic)的新兴电力半导体技术，以及创新的、竞争的硅(Si)的使用。

了解更多

搜索我们的分析和网站

相关分析 制造商 分析类型 订阅频道
英飞凌IMBF170R450M1 1700 V CoolSiC电源概要 英飞凌 过程 功率半导体-功率概要
Power Integrations INN3370C-H302-TL GaN Power Essentials文件夹 功率集成公司 过程 功率半导体-功率概要
STMicroelectronics SCTH90N65G2V-7 650 V碳化硅功率MOSFET功率概要 意法半导体 过程 功率半导体-功率概要
Cree C2M0045170P SiC Power Essentials文件夹 克里族 过程 功率半导体-功率概要
Cree CGHV59350F GaN Power Essentials文件夹 克里族 过程 功率半导体-功率概要
英飞凌FP10R12W1T7B11BOMA1 TRENCHSTOP IGBT7动力概要 英飞凌 过程 功率半导体-功率概要
关于半阿富汗50t65sqdc IGBT电源要点 在半 过程 功率半导体-功率概要
Navitas半导体NV6252 GaN电源概要 Navitas半导体 过程 功率半导体-功率概要
英飞凌IPL60R185C7 600v CoolMOS C7功率晶体管电源要点 英飞凌 过程 功率半导体-功率概要
Rohm Semiconductor SCT3022ALGC11 SiC MOSFET电源概要 罗门哈斯 过程 功率半导体-功率概要