意法半导体SCTH90N65G2V-7 650 V.碳化硅功率MOSFET功率基础摘要

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产品代码
PEF-2005-801
发布日期
26/06/2020
可用性
发布时间
商品项目代码
STM-SCTH90N65G2V-7
设备制造商
意法半导体
设备类型
SiC功率FET
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功率半导体
渠道
功率半导体 - 电源要点
报告码
PEF-2005-801
该报告给出了基于MOSFET的意法半导体SCTH90N65G2V-7功率碳化硅（SiC）的分析。所述SCTH90N65G2V-7是一个650伏，116 A，N沟道增强模式MOSFET使用STMicroelectronics的先进的和创新的第二代MOSFET技术，具有每单位面积的和非常良好的开关性能显着低的导通电阻的发展。
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