联系我们 产品代码 pef - 1905 - 801 发布日期 13/09/2019 可用性 发表 产品项目代码 INF-IPL60R185C7 设备制造商 英飞凌 设备类型 功率场效应晶体管 订阅 功率半导体元件 通道 功率半导体-功率概要 报告的代码 pef - 1905 - 801 本报告介绍英飞凌IPL60R185C7 600v CoolMOS C7功率晶体管的功率概要分析。 login or register as a guest.">查看目录 得到规则，简洁的新兴电源过程半导体产品分析 基于事实的分析，使用氮化镓(GaN)和碳化硅(Sic)的新兴电力半导体技术，以及创新的、竞争的硅(Si)的使用。 了解更多 搜索我们的分析和网站 今天就开始搜索我们的图书馆吧 提交 相关分析 制造商 分析类型 订阅频道 英飞凌IMBF170R450M1 1700 V CoolSiC电源概要 英飞凌 过程 功率半导体-功率概要 Power Integrations INN3370C-H302-TL GaN Power Essentials文件夹 功率集成公司 过程 功率半导体-功率概要 STMicroelectronics SCTH90N65G2V-7 650 V碳化硅功率MOSFET功率概要 意法半导体 过程 功率半导体-功率概要 Cree C2M0045170P SiC Power Essentials文件夹 克里族 过程 功率半导体-功率概要 Cree CGHV59350F GaN Power Essentials文件夹 克里族 过程 功率半导体-功率概要 英飞凌FP10R12W1T7B11BOMA1 TRENCHSTOP IGBT7动力概要 英飞凌 过程 功率半导体-功率概要 关于半阿富汗50t65sqdc IGBT电源要点 在半 过程 功率半导体-功率概要 Navitas半导体NV6252 GaN电源概要 Navitas半导体 过程 功率半导体-功率概要 英飞凌IPL60R185C7 600v CoolMOS C7功率晶体管电源要点 英飞凌 过程 功率半导体-功率概要 Rohm Semiconductor SCT3022ALGC11 SiC MOSFET电源概要 罗门哈斯 过程 功率半导体-功率概要
