联系我们 产品代码 MFR-2012-802 发布日期 可用性 在创作中 产品项代码 SAM-K4U8E3S4AD-MGCL 设备制造商 三星 设备类型 lpddr4x. 订阅 记忆 - NAND＆DRAM 渠道 记忆 - DRAM FloorPlan分析 报告代码 MFR-2012-802 •小型模具尺寸，4GB LPDDR4X VRAM D-DIE用于英特尔IRIS XE MAX GPU显卡•D1X技术节点使用•使用前一级B-和C-DIE（D2Y）缩小的单元格尺寸和芯片尺寸 在指尖的一个独特的信任保险库中，触手可及的准确数据库 我们的分析尽可能深入地揭示了广泛产品背后的内部工作和秘密。 学到更多 搜索我们的分析和网站 立即开始搜索我们的图书馆 提交 相关分析 制造商 分析类型 订阅频道 三星D1X 4 GB LPDDR4X记忆平面图分析 三星 平面图 记忆 - DRAM FloorPlan分析 Micron Gen2 D1Y 8 GB GDDR6记忆平面图分析 微米技术 平面图 记忆 - DRAM FloorPlan分析 有毒19NM SLC NAND闪存平面图分析 Macronix. 平面图 记忆 - NAND FloorPlan分析 三星128L NAND模具（K9AFGD8U0C）工艺流程分析 三星 电路 记忆 - 过程流程分析 三星128L NAND DIE（K9AFGD8U0C）流量充分 三星 过程 记忆 - 过程流程分析 三星2nd-Gen HBM2 8 GB TSV模具存储器底板分析 三星 平面图 记忆 - DRAM FloorPlan分析 三星12 GB 1Z EUV LPDDR5过程流程分析 三星 过程 记忆 - 过程流程分析 三星12 GB 1Z EUV LPDDR5内存平面图分析 三星 平面图 记忆 - DRAM FloorPlan分析 三星12 GB 1Z EUV LPDDR5高级内存要素 三星 过程 记忆 - 过程 三星12 GB 1Z EUV LPDDR5晶体管表征 三星 功能 - 测试 内存 - DRAM SWD和SA晶体管表征
