Intel 29P16B1BLDNF2 3D Xpoint第一代内存平面图分析

联系我们

产品代码
生产商- 2010 - 801
发布日期
21/12/2020
可用性
发表
产品项目代码
INT-29P16B1BLDNF2
设备制造商
英特尔
设备类型
内存
订阅
内存-嵌入式和新兴
通道
内存嵌入式和新兴平面图分析
报告的代码
生产商- 2010 - 801
这个报告提出了一个内存平面图分析的英特尔S15C芯片发现在英特尔29P16B1BLDNF2包。29P16B1BLDNF2是从Intel MEMPEK1W016GAXT Optane 16gb PCIe M.2内存模块中提取的。
本报告载有以下详细资料:
  • 选定拆卸照片，包装照片，包装x射线，模具标记，模具照片
  • 扫描电镜横截面显微照片的模具介电材料的一般结构，主要特征，和晶体管
  • 平面扫描电镜照片的模具延迟到WL和BL层
  • 主要微观结构特征的垂直和水平尺寸测量
  • 延后到多晶硅层的模具的平面光学显微照片
  • 多晶硅模照片上主要功能块的识别
  • 功能块尺寸和模具利用率百分比表
  • CircuitVision提供高分辨率顶部金属和多晶硅模具照片
  • 模具和测试包装模具的成本，基于观察过程的制造成本分析
login or register as a guest.">查看目录
TechInsights图书馆

一个独特的可靠的，准确的数据在你的指尖

我们的分析深入到需要揭示内部工作原理和秘密背后的广泛的产品。

了解更多

搜索我们的分析和网站

相关分析 制造商 分析类型 订阅频道
分析师简报:Emerging & Embedded Memory - Process - 2020 过程 内存-嵌入式和新兴过程
Everspin 1Gb 28 nm pMTJ STT-MRAM内存平面图分析 Everspin技术 平面布置图 内存嵌入式和新兴平面图分析
Everspin 1Gb 28 nm pMTJ STT-MRAM高级内存要领 Everspin技术 过程 内存-嵌入式和新兴过程
富士通8 Mb 45 nm ReRAM MB85AS8MT内存平面图分析 富士通 平面布置图 内存嵌入式和新兴平面图分析
富士通8 Mb 45 nm ReRAM MB85AS8MT Advanced Memory Essentials 富士通 过程 内存-嵌入式和新兴过程
富士通8 Mb 45 nm ReRAM MB85AS8MT工艺流程分析 富士通 过程 内存-嵌入式和新兴的流程流
富士通8 Mb 45 nm ReRAM MB85AS8MT工艺流程全 富士通 过程 内存-嵌入式和新兴的流程流
Cypress CY15V104QSN Ultra F-RAM Advanced Memory Essentials 柏树半导体 过程 内存-嵌入式和新兴过程
三星28纳米eFlash高级内存要领 三星 过程 内存-嵌入式和新兴过程
三星28nm eFlash内存平面图分析 三星 平面布置图 内存嵌入式和新兴平面图分析

不要错过techhinsights的最新消息。

所有我们的最新内容更新发送给您几个月。