雪崩40nm pMTJ STT-MRAM高级内存要领

产品代码
ame - 2009 - 801
发布日期
05/02/2021
可用性
发表
产品项目代码
REN-M30082040054X0IWAY
设备制造商
瑞萨
设备类型
MRAM
订阅
内存-嵌入式和新兴
通道
内存-嵌入式和新兴过程
报告的代码
ame - 2009 - 801
ST-MRAM芯片的Advanced Memory Essentials (AME)包括一份简要的分析师总结文档,强调观察到的关键尺寸和显著特征,由以下图像文件夹支持:
  • 下游产品拆卸
  • 包x光片,顶级金属和多模照片,无创光学照片的模具特征
  • 扫描电镜斜面通过逻辑存储阵列和外围区域
  • 一般器件结构、BEOL(金属、介质)和FEOL结构的SEM截面
  • 通过MRAM电池和正交字线的单个TEM截面,显示MRAM电池、金属和介质、电池晶体管栅极堆栈、隔离和其他FEOL特征
TEM-EDS分析结果包含在AME汇总文件中。AME可交付物提供及时的竞争性基准信息,并支持对广泛竞争对手的技术创新进行成本效益跟踪。

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