SK Hynix 128L 3D NAND高级内存精华

产品代码
ame - 2008 - 801
发布日期
可用性
在创建
产品项目代码
HYN-H25FTB0
设备制造商
海力士
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内存- NAND & DRAM
通道
内存,进程
报告的代码
ame - 2008 - 801
世界上第一个128 l 3 d NAND(称为4 d NAND SK海力士)SK海力士128 l TLC 512 Gb死它显示一个垂直电池效率提高至87.1%,和记忆一些密度为8.11 Gb /平方毫米与9 xl QLC可比死于三星(92升)和KIOXIA (96 l)。

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