英飞凌IMW65R107M1HXKSA1 650 V COOLSIC POWER ESSENTS总结

本报告介绍了英飞凌IMW65R107M1HXKSA1功率碳化硅（SIC）的MOSFET分析。IMW65R107M1HXKSA1是650 V COOLIC N沟道增强模式MOSFET，可与英飞凌开发的SIC技术一起使用的性能可靠性和易于使用的独特组合。该器件具有最大连续的S / D电流电流为20a和107mΩ的导通电阻，专为不间断电源（UPS），太阳能光伏逆变器，太阳能收集和EV充电基础设施应用而设计。完整的PEF可交付包含的观察设备度量标准和突出特征的单页摘要，由以下未解除的图像文件夹支持：

• 包光学照片，封装X射线图像，模具照片，模具功能的光学照片
• 扫描电子显微镜（SEM）延迟到栅极电平的设备的平面图图像
• 探索性截面平面图 - 器件结构的SEM图像
• 详细的横截面扫描微波阻抗显微镜（SMIM）分析掺杂剂结构
• 用于标准电源Essentials项目的图像设置为SEM Planar分析的延迟样品，SEM结构分析的单个横截面平面，以及用于详细结构分析的单个SMIM样本。值添加信息（如额外的横截面）可以在逐个案例的基础上包含
  

可交付的权力要点提供基本的竞争基准信息，并实现了多重竞争对手的技术的经济高效跟踪。