破坏性的事件
YMTC的Xtacking 3.0，第一个200+层
这家中国公司现在是3D NAND闪存的领导者
在2022年11月初，TechInsights认为我们在TiPlus7100中发现了YMTC的Xtacking 3.0。现在，在11月下旬，我们可以确认我们已经在HikSemi CC700 2 TB SSD中发现了Xtacking 3.0，这是市场上第一个200+层3D NAND闪存解决方案，使YMTC领先于三星，美光，Sk海力士和其他领导者。
下载此破坏性事件简报以获得Xtacking 3.0的详细模具图像，关于我们计划分析的进一步信息，以及显示YMTC的三种最新解决方案的比较表，128L CDT1B(2021年8月)，128L CDT2A(2022年11月)和232L EET1A。
中国YMTC如何超越美光、三星
2016年，扬子存储科技有限公司诞生。YMTC是中国对世界对越来越多数字存储的永不满足的需求的回应，也是中国拥有领先的国内芯片制造能力的基石。(注:中国最初在2014年左右启动了一项特定的存储研发计划，这是YMTC的基础。)
“闪存”是当今主要的数字存储技术。它最初是容量相对较低的非易失性存储器EEPROM(电可擦可编程只读存储器)的扩展。在早期，它被用来存储启动或启动微电子系统所需的少量代码。
今天，它已经在很大程度上取代了硬盘驱动器，用于我们日常使用的手机、平板电脑、笔记本电脑和个人电脑等高性能系统的批量数据存储。对于大规模、企业级和基于云的存储来说，它已经变得必不可少。
2016年YMTC成立时，当时的市场领导者刚刚向“3D”闪存过渡——换句话说，就是在单个芯片上实现多层存储单元。三星(Samsung)、美光(Micron) /英特尔(Intel)、闪迪(Sandisk) /东芝(Toshiba)和SK海力士(SK Hynix)开始利用这项新技术获得合理的产量。在此之前，闪存芯片都是单层的。为了获得更高的密度，您将多个芯片堆叠到同一个封装中。市场领导者花了数年时间才开发出工业化的3D闪存生产。但当他们这样做时，记忆密度突然增加了一个数量级或更多。YMTC跳过了基本的单层闪存，以32层产品登上世界舞台。
由于YMTC进入比赛的时间较晚，很多人怀疑他们是否有可能在世界舞台上竞争。从零开始- YMTC在市场领导者开发了基础Flash技术后的几十年里破土动工了他们的第一个晶圆厂。
2018年，也就是在他们成立两年后，YMTC宣布了他们的64层技术。在2020年，我们看到它全面投产。当时的市场领导者已经达到90层以上，但很明显，YMTC绝对处于竞争之中——实际上只落后了一代。
快进到2022年11月。techhinsights刚刚找到了YMTC的232层Flash。虽然(现在的前)市场领导者都在200层以上的一代工作，但YTMC是我们看到的第一个投入生产的。
这是什么意思?
如果我们以过去为指南，YMTC将在2030年之前成为无可争议的Flash技术领导者。然而，YMTC几乎不可能继续这样的步伐。处于领先地位的研发成本并不是线性的——随着技术的进步，研发成本会以许多倍的速度上升，以达到下一代的水平。就其本身而言，YMTC并没有产生足够的收入来支持不断增长的开发成本。虽然看到公共资金继续支持YMTC的发展计划并不令人惊讶，但美国(实际上是全世界)对先进半导体制造设备的制裁将严重阻碍快速进展。
YMTC所取得的成就令人惊叹。他们不仅超越了世界上最大的半导体公司，而且尽管总部设在武汉，在全球大流行期间经常面临严重的封锁，他们仍然做到了。因此，尽管考虑到今天的地缘政治挑战，筹码似乎对他们不利，但他们当然不应该被排除在外。
