即将到来的新的3 d NAND TLC设备:三星176 l和238 l, SK海力士176 l, KIOXIA / WD 162 l

即将到来的新的3 d NAND TLC设备:三星176 l和238 l, SK海力士176 l, KIOXIA / WD 162 l

我们已经做了一个分析微米176 l周大福CuA 3 d NAND芯片,是世界上第一个176 l 3 d NAND闪存设备从微米3400 1 tb作为PCIe Gen4 NVMe 1.4现。

现在,其他主要的3 d NAND球员如三星,SK海力士,KIOIXA,西部数据(WD)已经完成了高风险产品阶段,刚搬到大容量和更高的收益率为SSD应用阶段。162 l / 176 l TLC芯片512 gb或1 tb的内存容量与薄层色谱或QLC操作UFS(移动)或两党/ eSSD产品(例SK海力士铂作为PCIe NVMe P41 Gen4 SSD)。

微米揭示了176 l 3 d NAND闪存产品领先于其他球员去年,而其他球员似乎平静的呼吸在上马NAND闪存市场气氛。关于芯片的性能,似乎所有的162 l / 176 l 3 d NAND芯片看起来相当有竞争力。例如,程序吞吐量40 ~ 50μs和平均阅读时间(tR) 160 ~ 184 MB / s的芯片。

微米显示一个176 l周大福CuA 3 d NAND芯片为512 gb 195 t TLC第一。位密度达到10.273 Gb /毫米²为512 Gb TLC死大大减少模具尺寸与之前相比128 l 512 Gb TLC (7.755 Gb /毫米死去²)。

2-deck结构(88 l + 88 l)已被用于垂直NAND串与其他玩家只除了英特尔集成(144 l FG CuA 3-deck结构)。三星,512 gb 176 l TLC芯片将是1^圣代Cell-on-Periphery警察(CuA) TCAT V7 V-NAND,下面的1 tb 238 l TLC产品2^nd一代警察TCAT V8 V-NAND。虽然三星176 l TLC芯片稍低密度(8.5 Gb /毫米²)比SK海力士512 Gb 176 l V7 4 d举办的NAND闪存(10.8 Gb /毫米²结核)和KIOXIA / WD 162 l CuA BiCS6 NAND (10.4 Gb /毫米²),这是预计将增加到11.5 Gb /毫米²三星238 l TLC死去。

三星将2-deck结构甚至238 l,三星的优势之一在3 d NAND闪存技术。162 l BiCS6 3 d NAND将是1^圣产品与CuA KIOXIA / WD概念。

表1。即将到来的新的3 d TLC NAND芯片比较;三星176 l和238 l、176 l SK海力士,KIOXIA / WD 162 l(来源:ISSCC2021 ISSCC2022)

如何提高3 d NAND闪存的存储容量在未来?

虽然行业超越128 - CuA堆叠西城结构(或人民警察或Xtacking)概念,3 d NAND闪存存储设备现在面临着很多的挑战如细胞减少字符串当前,吞吐量增长过程,过程不均匀性、缺陷、寄生负载增加,减少外围区域,增加西城通道电容,RC延迟变异,增加WL上升时间和细胞间干扰,减少读/写速度。

此外,也需要高带宽3 d NAND闪存产品。为了实现,克服上述挑战,与非玩家已经成功地开发和应用创新和技术对于即将到来的176 l / 238 l NAND闪存存储设备等;

三星176 l TLC V7 V-NAND

• 1^圣从三星将军警察结构
• 转发两步提单迫使(延长),两步提单/王迫使(TBWF)细胞Vt变异最小化
• MIM垂直电容器(电荷泵,CP)最大化功率效率和降低CP区
• 切换DDR5.0通过图片或总部的接口

三星238 l TLC V8 V-NAND

• 2^nd从三星将军警察结构
• 2-deck集成
• 抵消取消感应锁(OCSL)计划改善V_旅行抵消
• Quad-group抗干扰的阅读(Q-IFR)计划,以减少细胞耦合(V_t转变@Read)
• CSL noise-tracking (CSL补偿)计划,以减少CSL噪音
• Code-adaptive直流坚持减少tCS(安装时间)和权力
• 切换DDR5.0接口

SK海力士176 l TLC V7 4 d举办

• 3^{理查德·道金斯}4 d将军举办的NAND结构从SK海力士
• 12-stage页面缓冲区(PB)
• 1:1 PB缓存连接总线(试译)
• 集中X-Decoder (XDEC)和半平面激活
• 新的字符串增加(没有字符串增加计划)
• 自适应WL超速档(OVD)
• 本地变量泵提高阶段和电荷泵频率

KIOXIA / WD 162 l TLC BiCS6

• 1^圣将军CuA BiCS和6^thBiCS KIOXIA / WD将军
• 异步独立平面阅读(AIPR)技术
• 新的增强传感(SEN隔离)计划
• IO责任周期校正(IO-DCC)计划
• 新的扫描链(测试)的逻辑电路