Sinjin Dixon Warren，高级流程分析师
Sinjin Dixon Warren是TechInsights的高级工艺分析师，拥有20多年的半导体分析经验，是电力电子分析的主题专家（SME）。他拥有多伦多大学化学物理博士学位；他的一些专业包括半导体物理和器件、材料科学和表面分析化学。
Sinjin Dixon Warren是TechInsights的高级工艺分析师，拥有20多年的半导体分析经验，是电力电子分析的主题专家（SME）。他拥有多伦多大学化学物理博士学位；他的一些专业包括半导体物理和器件、材料科学和表面分析化学。
2020年10月8日
UnitedSiC是一家无晶圆厂碳化硅（SiC）供应商，由罗格斯大学的一个研究小组于1999年创立。虽然SiC电力电子市场的大多数供应商都在追求SiC MOSFET和肖特基势垒二极管（SBD）技术，但UnitedSiC选择了SiC结FET（JFET）技术的冠军。
JFET方法的优点是非常低的导通电阻（RDSON）值。通常，JFET与低压MOSFET串联在一起，形成所谓的“共源共栅”结构。正如最近在电功率为了充分利用碳化硅技术，制造商们重新考虑了上世纪30年代的一个想法，即将真空管串联起来，形成一种性能优于任何一个单独组件的混合设备。这种技术被称为共源共栅，多年来在双极结晶体管和MOSFET器件中再次出现。
