techhinsights回答:功率半导体-什么是On-Resistance?

他讨论了电力设备的三个技术因素之间不断的拉锯战:

• 的使用状态
• 切换性能
• 稳健性和可靠性

在功率器件中改进上述因素之一往往会牺牲其他两个因素中的至少一个，那么功率半导体设计人员如何有效地进行这场拉锯战呢?更不用说成本因素了……

R_DS(上)不是功率晶体管所独有的，但它是非常相关的。功率器件是模拟的而不是数字的，它们处理的是电能本身的流动而不是信号。因此，由于所涉及的极端功率水平，即使是效率损失的百分比也可能是显著的。

作为不同器件结构如何对这一数字产生根本影响的一个例子，Stephen比较了我们对几个GeneSiC碳化硅mosfet进行的一些分析-他们的3^{理查德·道金斯}新一代750 V设备以及他们最近发布的3.3 kV设备。漂移区域的差异大于5，这改变了R的整体值_DS(上)以及器件中贡献最大的区域(从750 V情况下的MOSFET通道转移到3.3 kV情况下的漂移区域)。

最后，Stephen讨论了一个标准化的度量，通过该度量，来自不同供应商的不同功率设备可以比较特定的导通电阻或R_DS(上)*。