发布时间:2017年7月24日
特约作者:Ray Fontaine
IISW 2017年论文的第三个主题是对我们在像素隔离结构中看到的趋势的概述。这些结构对智能手机摄像头1.0µm到1.4µm生成像素的性能至关重要。展望未来，我们希望看到这些结构应用于其他成像应用，以及亚微米像素。
TechInsights论文的完整版本将发布在国际战略研究所的网站8月。像往常一样，感谢IISW组织委员会给我们提供机会，并感谢我们才华横溢的实验室工作人员和生成基础数据的分析师。请继续关注-在图像传感器领域永远不会有沉闷的时刻!
像素隔离结构
在背光衬底上制作了各种各样的结构，以提供改进的电气和光学隔离。DTI工艺模块在工艺流程的早期(在有源器件形成之前)和后期(CIS模后细化后)都已实现。目前使用的大多数B-DTI结构都是用电介质填充的，包括各种高k薄膜。
2010年，在STMicroelectronics[25]制造的HTC One超ixel相机芯片中发现了首个背光CIS的DTI结构。这些早期的前端制作DTI (F-DTI)结构是使用绝缘体上的硅基板建造的。目前背向发光的CIS芯片通常是在背向薄的epi/bulk衬底上制作的。
图3所示。索尼IMX260 - Exmor RS与DBI技术平台
答:索尼
索尼首次观察到的DTI是2013年在IMX147[26]中发现的B-DTI结构。B-DTI向2.8µm厚的基体中渗透0.3µm左右，首先被界面氧化物填充，其次是HfO、TaO、氧化物、ti基衬层和W金属。这款芯片是索尼公司制造的唯一一款金属填充沟槽芯片。到2015年，索尼转向了更深的、介质填充的B-DTI结构，该结构由薄的界面氧化物、AlO、TaO和未掺杂的氧化物核心组成。
图3显示了来自1.4µm像素生成的IMX260最近的、充满介质的B-DTI结构，具有2.9µm厚的衬底。B-DTI从后表面延伸至1.9µm的名义深度，而在B-DTI交叉处延伸至2.4µm的名义深度。
图4所示。三星S5K3P3SX堆叠式ISOCELL技术平台
b .三星
B-DTI和F-DTI结构已经集成到三星的ISOCELL技术平台。迄今为止的分析表明，三星偏爱全深度F-DTI用于1.0µm像素生成ISOCELL结构，而部分深度B-DTI用于1.12µm和1.4µm像素生成ISOCELL结构。
三星于2015年首次观测到B-DTI结构，在1.12µm像素生成芯片中实现，其特征是B-DTI沟槽延伸到1.3µm深的衬底。
图5所示。OmniVision OV16880 PureCel Plus-S技术平台
c . OmniVision
OmniVision通过其PureCel Plus-S技术平台引入了部分B-DTI结构，2016年分析[10]。该结构为1.0µm像素生成CIS，将0.45µm延伸至2.5µm厚的基底背面。该B-DTI沟槽填充材料包括界面氧化物、首先沉积的HfO、TaO、氧化物、ti基衬层和W型芯。到目前为止，这是OmniVision芯片上唯一观察到的DTI结构，也是自2013年索尼(Sony)的努力以来首个金属填充的B-DTI沟槽。
对高容量成像和新兴应用程序进行常规、简洁的分析
参考文献
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