发布时间:2018年4月11日
特约作者:崔正东，高级技术研究员
我们在TechInsights很高兴地报告，我们已经发现并分析了三星18纳米DDR4 DRAM芯片上的Anti-fuse阵列块。
Anti-fuse是嵌入式NVM技术之一，包括:
- 嵌入式闪存
- 罗
- eFuse(电气保险丝)
- FG / CTF闪光
- 防保险丝
eFuse是一种一次性可编程(OTP)存储器，通过强迫高电流密度通过导体连接，使其电阻显著提高而编程。反熔丝是另一种OTP型NVM，但其电路与熔丝有很大的不同。反熔丝电路在开始时具有高电阻状态，并在低电阻状态下施加电应力进行编程。
已经使用额外的处理步骤通过公斤实现防保险丝NVM技术已经实施了数十年。只有1T或2T位细胞结构的标准CMOS工艺首先是第一个开发它的公斤。
我们延迟了三星的8 GB 18 NM DDR4 DRAM DID到门级，并发现了外围区域中的防保险丝OTP阵列块。防保险丝块位于模具的两侧，如图1所示。每个防保险丝块由六个子块组成。
图1. Samsung 8 GB 18 NM DDR4 DRAM模具（延迟到门级）的防保险丝OTP阵列块（Orange-Col-SM-12 Col-Lgored）。
对于防熔丝存储器技术，一个或多个晶体管可用于位单元。三星的DDR4 DRAM防熔丝钻头单元结构由两个晶体管组成：选择晶体管和可编程晶体管。当可编程晶体管的栅极氧化物完整时，读晶体管返回二进制零;打破门创建导电路径，返回二进制文件。字线间距为0.20μm，位细胞面积为0.12μm2．TechInsights的结构/材料/设计分析报告三星K4A8G085WC-BCRC 1x nm 8gb DDR4 SDRAM包含更多的细节。
下载三星18nm DDR和LPDDR4X的产品信息
我们的产品信息包括：Samsung K3UH5H50MM-NGCJ（LPDDR4X移动SDRAM）和K4A8G085WC-BCRC（DDR4）。
