三星Galaxy S8拆装版(SM-G950W)

发布:2017年4月7日,更新:2017年4月25日

我们很高兴地宣布,我们的Galaxy S8已收到。我们的博客详细介绍了拆解结果,包括成本观察,10纳米LPE工艺的验证,对高通WTR5975千兆LTE收发器和包膜跟踪电源的评论,后置和前置摄像头的信息,设计获胜的列表,等等。我们鼓励你浏览一下,看看我们所发现的一切。

Galaxy S8的成本观察

我们分析的64 GB三星Galaxy S8 (SM-G950W)的快速转弯估计货物销售成本(COGS)为309.50美元。这是一个快速的转弯,一旦我们对它进行全面的深潜拆卸,可能会与估计略有不同。相比之下,我们在2017年2月发布的32 GB三星Galaxy S7 (SM-G930V)的销货成本估计为243.00美元。如果我们将内存标准化为64GB,使用今天的NAND闪存数据,这个估计将跃升至257.00美元。

虽然三星Galaxy S8是Galaxy S7的合理继承者,但它实际上更像是我们在2017年2月发布的失败的Galaxy Note 7的更新。根据当时的市场价值数据,我们公布的销货成本估计约为270美元。

成本动因:

这将主要是Galaxy S7和Galaxy S8之间的比较,必要时也会有少数例外。

A11仿生应用处理器

三星Galaxy S8 SM-G950W 三星Galaxy S7 SM-G930V
应用程序处理器/调制解调器 60.50美元 40.00美元
电池 4.50美元 3.50美元
连接和传感器 15.00美元 12.50美元
相机 29.00美元 24.50美元
显示 67.00美元 47.00美元
内存 42.50美元 28.00美元
混合信号/射频 22.50美元 21.00美元
电源管理/音频 9.50美元 9.00美元
其他电子产品 22.00美元 19.50美元
参加者/外壳 21.00美元 18.00美元
测试/组装/支持材料 20.00美元 20.00美元
总计 313.50美元 243.00美元

应用程序/基带处理器:盖乐世S7使用的是采用14nm工艺的高通骁龙820四核MSM8996芯片。这是一个成熟的部分,第一次出现在大约15个月前。我们对它的最新成本估计大约是40美元。第一次观察时,我们的成本估计约为57美元。这种价格侵蚀来自于正常的成本节约措施和利润率压缩。Galaxy S8搭载了采用三星电子10nm FinFET工艺的高通骁龙835八核MSM8998芯片。这是我们观察到的第一款产品,估计价格为60.50美元。这一价格明显高于MSM8996目前的预计价格,但仅略高于预计的上市价格。

相机/图片:Galaxy S7和Galaxy S8都配备了类似的双像素OIS 1200万像素后置摄像头。Galaxy S8的前置摄像头从Galaxy S7的500万像素提升到了800万像素。三星还增加了一个在Note 7上看到的虹膜扫描摄像头,而Galaxy S7上没有。因此,在改进的前置摄像头和虹膜扫描摄像头之间,我们看到这类产品的价格上涨了5.5美元。

连通性:我们看到连接价格上涨了2美元,这主要是由于新的尖端Murata Wifi/蓝牙模块。它是第一个采用蓝牙5.0 LE。

显示/触屏:新的5.8英寸、2960x1440四像素+ SuperAMOLED显示屏是一个野兽。与盖乐世S7和盖乐世Note 7相比,在高度上增加了400行像素(总共增加57.6万像素)。与Note 7一样,它是双面显示屏,而Galaxy S7是平板显示屏。它还内置了一个home键力触摸传感器。我们对这个显示器的快速估计是67.00美元。相比之下,Note 7售价55美元,盖乐世S7售价47美元。与Note 7相比,主要的成本因素是额外的像素和四像素技术。盖乐世S7的尺寸更小,边缘也更平坦,所以与之相比就不那么重要了。

记忆:NAND闪存非易失性存储器在2017年第一季度价格大幅上涨。由于时间的原因,Galaxy S7和Note 7的成本都没有计入,因为当时Galaxy S7的价格刚刚开始上涨。在Galaxy S7中,我们看到三星32GB MLC NAND闪存部件的价格估计为7.5美元。如果我们把它换成64GB的三星MLC NAND部件,我们目前的价格大约是21美元。现在,Galaxy S8采用了东芝64gb的部件,由于它不是内部制造的,我们估计三星购买它的成本为24美元,因此非易失性内存的差异。

另一方面,自2月份以来,易失性内存一直在下降,所以我们预计三星在Galaxy S8中使用的4GB LPDDR4X内存会比我们几个月前对S7的估计便宜一些。在这种情况下,它从大约20美元涨到了18.50美元。

非电子:Galaxy S8的主要外壳更类似于Note 7,在成本方面与Note 7相当,为21美元。由于体积更小,制造方式也不同,Galaxy 7的零部件价格约为18美元。

射频组件:盖乐世S7使用了高通公司的WTR3925和WTR4905两个射频收发器部件。在Galaxy S8中,他们只使用了WTR5975,但虽然Galaxy S7中的两个部件增加了约5.5美元,但更大的模具和更高的功能WTR5975大约贵2.50美元,约为8.00美元!

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高通骁龙835

高通骁龙835

高通骁龙835

高通骁龙835应用处理器被证实是基于三星的10纳米LPE工艺。我们能够确认68纳米接触门间距与假聚单扩散中断(SDB)能力。最小BEOL间距很难通过截面来确定,但一旦我们的功能块分析研究了具体的布局特征,我们希望发现公开发布的48纳米间距是最小的。

总体而言,该工艺似乎类似于三星的14LPE和14LPP工艺,具有双浅沟槽隔离(STI)和额外的处理以实现虚拟聚SDB。联系人被简化为一个级别,以避免掩码数量的大量增加。虽然栅极有电介质帽,似乎是自对准接触能力,初始横截面没有显示很多,如果有,使用栅极帽。

更新!第一个到达10纳米产品化终点的是高通骁龙835,基于三星LSI Foundry的10纳米LPE技术。请查看我们的10纳米博客。

WTR5975显示再分配层(RDL)

WTR5975显示再分配层(RDL)

收发器和信封跟踪电源

S8包含了我们所见过的第一款新手机设计上的胜利高通WTR5975千兆LTE收发器,以及新的QET4100包络跟踪电源。我们首先在移动LTE加密狗中观察到WTR5975。

WTR5975是骁龙835家族的一员。它是世界上第一款支持千兆级LTE、LTE- u和LAA的单芯片RF IC,支持5 GHz无授权频段。它支持高达4倍下行CA, 2倍上行CA,所有3gpp批准的频段,包括3.5 GHz频段42和43,以及单个收发芯片中的4x4 MIMO,极大地减少了支持高级CA和MIMO配置所需的占地面积。

WTR5975现在在我们的实验室里,因为我们已经在全面生产中提取了发射和接收路径上的电路设计。现在我们有了新的QET4100,我们将开始生产该设备的全芯片电路分析。请联系我们了解更多信息WTR5975和QET4100的产品简介副本

WTR5975
WTR5975
WTR5975
WTR5975
wi - fi和蓝牙

wi - fi和蓝牙

wi - fi和蓝牙

我们现在已经切断了村田Wi-Fi模块KM7206044。在里面,我们发现了Broadcom BCM4361 SoC和其他一些芯片。BCM4361很可能是集成了Wi-Fi和蓝牙5.0的单芯片SoC。

村田Wi-Fi模块
Broadcom BCM4361无线组合SoC
Broadcom BCM4361无线组合SoC芯片标记
Broadcom BCM4361无线组合SoC芯片照片
前置摄像头

前置摄像头

前置摄像头

我们的实验室工作人员完成了这款800万像素的自拍相机的初步分析,它带有自动对焦和虹膜扫描仪,并被封装在12.5毫米x 11.3毫米x 5.1毫米厚的组件中。

这款G950W的自拍相机来自索尼。索尼通常不会在其背光小像素移动图像传感器芯片上使用传统的模具标记,但零件号一直是据报道是IMX320.IMX320是一个堆叠(Exmor RS) CMOS图像传感器(CIS),模具尺寸为4.07 mm x 4.82 mm (19.6 mm)2),像素间距为1.12µm。我们最初的发现表明它是一个传统的背光(Exmor R)芯片,但我们将做更多的工作来了解它是否是一个具有直接键连接(DBI)的堆叠(Exmor RS)芯片。

前置摄像头
前置摄像头
前置摄像头
前置摄像头
前置摄像头
虹膜扫描仪

虹膜扫描仪

虹膜扫描芯片虽然采用了新的包装,但与我们在Galaxy Note 7上发现的芯片相同。虹膜扫描模具有“S5K5E6YV”模具标记,尽管内部有一些关于“V”是否可能实际上是“U”的争论。无论如何,模具标记与Note 7的虹膜扫描仪相同。该芯片是一个单片(非堆叠)背光CIS,具有4.63 mm x 3.55 mm (16.4 mm)2)模具尺寸和像素间距为1.12µm。更多详细信息可在我们的现货设备要点图像集和摘要报告(DEF-1609-801)

当我们的实验室的结果出来时,我们会赶上后置摄像头的更新。

虹膜扫描仪
虹膜扫描仪
后置摄像头

后置摄像头

后置摄像头

Galaxy S8和Galaxy S8+都没有双后置摄像头。现在,这让我们很高兴,因为更容易估计主摄像头的成本,但三星没有效仿苹果和华为的双摄像头路线,这无疑是在这些旗舰产品上竖起了一面“旗帜”。由于没有后置广角摄像头,三星最终的材料成本减少了约12.50美元。

SM-G950W后置摄像头模块厚度为11.3 mm × 11.3 mm × 5.5 mm。它包含一个堆叠,背光(Exmor RS)索尼模具,模具尺寸为5.64 mm x 6.76 mm (38.1 mm2)。虽然这与Galaxy S7的索尼IMX260的模具尺寸相匹配,但我们确实看到了在模具水平上的一些小差异。按照SamMobile帖子这应该是索尼IMX333。我们预计它将类似于IMX260,但将执行更多的分析,以检查这款1200万,1.4万双像素CIS上的任何新的定制。

我们也预计很快会收到更多来自其他地区的Galaxy S8手机,其中应该包括三星S5K2L2(后置摄像头)和S5K3H1(前置摄像头)版本。这些细节将通过我们的图像传感器订阅服务发布。

后置摄像头
后置摄像头
后置摄像头
后置摄像头
后置摄像头
后置摄像头

Skyworks 2G SKY77365功率放大器模块

虽然AT&T宣布关闭他们的2G蜂窝网络,但在Galaxy S8 SM-G950W中发现的单独的Skyworks 2G RF PAM表明,手机原始设备制造商仍然有大量的兴趣和需求来制造支持传统网络频段的设备。即使其他美国移动电话运营商效仿AT&T关闭自己的2G网络,2G蜂窝网络在英国和许多欧洲国家(如法国和德国)仍将保持活跃,直到2022年。

问题是为什么要用单独的功放?我们询问了我们内部射频主题专家Tareq Salim,他的观点是这样的:“…其他多模、多频带PAMs使用的放大器并不能与原生2G GMSK[高斯最小位移键控]协同工作。GMSK成功的关键因素是拥有固定增益,而Skyworks SKY77365实现了这一点。”

LPS22HB

惯性,压力和陀螺仪传感器

惯性,压力和陀螺仪传感器

到目前为止,我们已经观察到意法半导体传感器在S8中的一些优势,首先是位于主图像传感器下方的LPS22HB压力传感器。

我们还看到了光学稳像陀螺仪,零件号为K2G2IS。

惯性传感器插槽也属于意法半导体,采用LSM6Dl 6轴惯性传感器,位于主摄像头的后面和正下方,在对面,挨着全新的NXP PN80T NFC控制器。

这个NFC设备对我们来说是新的,将尽快进入实验室。鉴于我们已经分析了恩智浦NFC设备的每一代,当然我们也会研究这一代,寻找创新。

LPS22HB
LPS22HB
NXP
NXP
NXP
NXP
NXP PN80T NFC控制器PN553模具标记

NXP PN80T

NFC

我们现在已经打开了新的NXP PN80T NFC IC,在里面,我们发现了两个芯片:一个新设计的PN553 NFC控制器和一个Secure Element控制器(可能是SmartMx)。根据NXP,安全元件是一个40纳米fabbed模具。同样,对这两种新型NXP芯片的进一步分析即将到来。

NXP PN80T NFC控制器PN553模具标记
NXP PN80T NFC控制器PN553芯片照片
NXP PN80T安全元件模具标记
NXP PN80T安全元件模具照片
强制触摸和指纹传感器

强制触摸和指纹传感-不同的解决方案

无限显示器的无边框、无边框的观看空间意味着物理home key的宝贵空间不再可用。在这一点上,三星确实效仿了他们的两个竞争对手,为Galaxy S8和Galaxy S8+设计了强制触摸解决方案(如果你是苹果粉,那就是3D触摸)。在这两款手机上,强制触摸都被限制在一个特定的位置,就在物理home key所在的位置。

在我们的实验室中使用Galaxy S8和Galaxy S8+,我们能够观察到,虽然位置相同,但两款手机的用力触摸解决方案是不同的。在Galaxy S8中,三星使用了他们自己的力触组件。Galaxy S8+则采用了意法半导体(STMicroelectronics)的指纹和力触感应芯片指尖产品系列

如果不使用单独的home key/指纹传感器组件可以节省成本,那么无限显示器更大的面板和更多的像素仍然会导致更高的成本。盖乐世S8的价格比盖乐世S7和盖乐世Note 7分别高出40%和20%左右。

董事会截图及部件

三星Galaxy S8板

三星Galaxy S8板

三星Galaxy S8板面
三星Galaxy S8背板

让我们来看看目前为止我们已经发现了什么。以上是印刷电路板(PCB)的正面和背面的图像,从中我们可以识别出以下部分:

制造商 零件号 函数
Qualcomm MSM8998 应用程序处理器
三星 K3UH5H50MM-NGCJ 4gb lpddr4x
三星 S6SY761X 触摸屏控制器
三星 S5C73C3 图像处理器
Qualcomm WTR5975 射频收发器
Qualcomm PM8998 PMIC
Qualcomm PM8005 PMIC
格言 MAX77838 PMIC
三星 S2MPB02 PMIC
博通公司 afem - 9053 功率放大器
博通公司 afem - 9066 功率放大器
Skyworks SKY78160-11 功率放大器
Skyworks SKY77365 2G功率放大器
东芝 THGBF7G9L4LBATR 64gb通用Flash存储
Qualcomm QET4100 包络跟踪电源
Qualcomm WCD9341 音频编解码器
格言 MAX98506BEWV 音频放大器
NXP PN80T NFC控制器
意法半导体 LPS22HB 气压计
意法半导体 K2G2IS OIS陀螺仪
意法半导体 LSM6DL 六轴惯性传感器
意法半导体 FGBCH80DP 指尖触屏控制器
诺尔斯 SPH0644LM4H-1 麦克风

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