2021年2月17日
采用EUV光刻的三星12Gb D1z LPDDR5
经过几个月的等待，三星电子在D1z DRAM上应用了极紫外(EUV)光刻技术。这是对三星电子Galaxy S21 5G系列等最新手机的DRAM技术的重大改变。S21 5G、S21+ 5G和S21 Ultra 5G，刚刚于2021年1月发布。EUV光刻在规模化和加速生产以及性能产量方面显示了制造优势。
我们在三星Galaxy S21 5G系列中发现了D1Z 12 GB和D1Z 16GB LPDDR5芯片;S21 5G，S21 + 5G和S21 Ultra 5G刚刚在1月2021年发布。12 GB LPDDR5芯片用于三星Galaxy S21超5G 5G SM-G998B / DS 12GB RAM，而16 GB LPDDR5芯片用于S21 5G和S21 + 5G 8 GB随机存取存储器组件。
在三星D1z 12gb LPDDR5 DRAM生产中使用的极紫外(EUV)光刻工艺，与之前的D1y 12gb版本相比，生产效率提高了15%。D/R(设计规则)从17.1 nm (D1y)降低到15.7 nm (D1z)。12gb的模具尺寸也减少到43.98 mm2(D1z)从53.53毫米2(D1y)，这导致更小的模具尺寸，比以前的版本缩小了约18%。
| 项目 | 三星LPDDR5芯片 | |||
|---|---|---|---|---|
| 内存容量 | 8 Gb | 12 Gb | 12 Gb | 16 Gb |
| 技术节点 | D1y | D1y | D1z | D1z |
| 母公司产品的例子 | 小米Mi 10 | 小米Mi 10 | 三星Galaxy S21超5克 |
三星Galaxy S21 / S21 + 5克 |
| DRAM组件示例 | K3LK3K30EM-BGCN. | K3LK4K40BM-BGCN | K3LK4K40CM-BGCP | K3LK7K70BM-BGCP. |
| 模具尺寸 | 39.12毫米2 | 53.53毫米2 | 43.98毫米2 | 61.20毫米2 |
| 位Densoty(死) | 0.205 Gb /毫米2 | 0.224 Gb /毫米2 | 0.273 Gb /毫米2 | 0.261 Gb /毫米2 |
| 细胞的大小 | 0.00231µm2 | 0.00231µm2 | 0.00197µm2 | 0.00197µm2 |
| D / R | 17.1 nm. | 17.1 nm. | 15.7纳米 | 15.7纳米 |
| EUV光刻应用 | 没有 | 没有 | 是的(BLP) | 没有 |
三星D1y、D1z LPDDR5芯片8gb、12gb、16gb DRAM规格比较
三星使用最先进的D1Z技术与EUV光刻一起用12 GB模具用K4L2E165YC模具标记，而D1Z 16 GB LPDDR5 DRAM芯片具有K4L6E165YB模具标记显示非EUV光刻模具。最初用ARF-1（氩氟激光（ARF）浸没）和EUV（极端紫外线）光刻开发D1Z LPDDR5产品。现在，它们使用EUV SNLP（存储节点着陆垫）和BLP（位线焊盘）光刻生产所有D1Z LPDDR5产品。他们在DRAM行业和全球市场中应用了HVM（大批量制造）产品，尽管三星发布了1M的样本模块，其在2019年底应用了D1x EUV光刻。
Micron D1Z LPDDR4与三星D1Z LPDDR5芯片的竞争力DRAM规范比较
制造商追求的竞争指标是更高的钻头密度，更小的模具尺寸，先进的技术节点。通过使用D1z技术节点的EUV，与业内同行美光相比，三星取得了领先的指标，如下表所示:
| 设备 | Micron D1z. | 三星D1z | 三星D1z |
|---|---|---|---|
| 内存容量 | 16 Gb | 12 Gb | 16 Gb |
| 技术节点 | D1z | D1z | D1z |
| 母公司产品的例子 | mt53e1g32d2np - 046 _wt: (LPDDR4) | K3LK4K40CM-BGCP（LPDDR5） | K3LK7K70BM-BGCP (LPDDR5) |
| 模具尺寸 | 68.34毫米2 | 43.98毫米2 | 61.20毫米2 |
| 位Densoty(死) | 0.234 GB / mm2 | 0.273 Gb /毫米2 | 0.261 Gb /毫米2 |
| 细胞的大小 | 0.00204μm2 | 0.00197µm2 | 0.00197µm2 |
| D / R | 15.9纳米 | 15.7纳米 | 15.7纳米 |
| EUV光刻应用 | 没有 | 是的(BLP) | 没有 |
比较D1Z DRAM产品;微米与三星
*与Micron D1z电池设计相比，三星进一步缩小了电池尺寸(Samsung 0.00197µm20.00204 μ m2)和D/R(三星15.7 nm vs.美光15.9 nm)。
