第4代讨论

电力技术

讨论:

与更广泛的SiC市场相比

今年早些时候，ROHM发布了他们的4^th第4代MOSFET产品。在这个由两部分组成的系列视频中，我们将深入了解这项技术的进步如何成为功率半导体器件革命的第一步。

新系列包括额定为750 V(从650V增加)和1200 V的mosfet，许多可用的TO247封装组件的汽车合格高达56A/24mΩ。这是一个阵容，表明罗姆将继续瞄准车载充电器市场，他们已经以前的成功．

第一部分:Russell博士和Gammon教授研究了碳化硅器件在市场上的发展现状，以及它们比硅器件的优势，例如大大降低特定导通电阻(R_DS(上)*一个)。

第二部分:Russell博士和Gammon教授深入分析了平面布局(包括单元结构)、堑壕布局和ROHM 4^th生成工艺流程。他们将讨论ROHM的第4代Mosfet产品与功率半导体市场上的其他产品(如Wolfspeed，意法半导体，英飞凌和onsemi)相比如何。