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审查和知道的东西:闪存峰会2022

Jeongdong Choe博士

闪存峰会2022会议包括世博会举行圣克拉拉会展中心(美国)上周(8月1 - 4)。许多业界领先的内存模块制造商和供应商在闪存技术展示他们最新的产品。TechInsights在FMS是重复和广受欢迎的演说家。

像往常一样,我们参加了会议赞助,和Jeongdong Choe博士提出了两篇论文,一个新兴的内存技术会议(周二)和DRAM的另一个技术会议(周三)。Jeongdong也参加了“FMS2022聊天专家”活动主题“3 d NAND闪存技术”作为一个专家。我们举办了一个“迎接Jeongdong Choe博士的会话有区域销售团队周三晚上在一起。

在FMS2022,所有与会者庆祝一个重要的里程碑,35周年NAND闪存的发明。今年会议的关键字似乎1)CXL-Memory (CXL-DRAM CXL-NAND), 2) Optane XPoint记忆下降,3)新的和明年2 xx 3 d NAND闪存产品,4)Chiplets, 5) ZNS-based存储系统。

大量的演讲和讨论的关键词会议期间举行会议和面对面的会谈。新(抽样)存储产品,如作为PCIe 5.0 / BittWare CXL FPGA加速器,IBM弹性存储系统3500年Infinidat InfiniBox SSA II, Kioxia CM7系列E3。年代企业NVMe SSD, Phison X1使用SSD平台,Pliops XDP,三星Memory-semantic CXL SSD, ScaleFlux CSD 3000 SSD, Solidigm P41 + 144 l-q SSD,超微型计算机别的所有的flash服务器DDR5和PCIe5.0 Swissbit PCIe-SSD N-30m2,和YMTC x3 - 9070 Xtacking 3.0介绍了展览摊位。

当涉及到3 d / 4 d NAND和SSD技术,行业领袖宣布他们与芯片的新产品样品的主题演讲;三星、SK海力士/ Solidigm KIOXIA,西部数据,YMTC。

知道的一些事情的主题演讲;

三星强调4个领域的科技进步推动大数据市场;数据移动、数据存储、数据处理和数据管理。三星宣布“Memory-semantic SSD”相结合的存储和DRAM内存的好处,人工智能,ML-optimized存储。移动存储行业首个UFS 4.0,由该公司今年5月,。这个月它将进入大规模生产。三星强调SmartSSD和CXL DRAM,旨在避免瓶颈在当前内存和存储架构。
SK海力士最近运送第一个V8 238 - 512 gb的薄层4 d NAND闪存客户预计在7月和2023年1 h开始大规模生产。SK海力士238 -层产品开发1 tb。公司的第一个DDR5 DRAM-based CXL样本。Solidigm介绍P41 + 144 l-q SSD。他们还展示了世界上第一个工作Penta-Level细胞(PLC) SSD芯片与192年样本l-q主旨,有能力存储5比特的数据/存储单元第一次超过25%的数据相比,相同的足迹quad-level细胞(QLC) SSD。
KIOXIA推出第二代XL-FLASH SCM解决方案基于多层陶瓷(2位/细胞)BiCS闪光。1日创SLC-based。代XL-FLASH将内存容量256 gb /死亡。产品样品出货定于11月开始,预计在2023年开始批量生产。
YMTC介绍x3 - 9070 TLC 3 d NAND闪存产品样本由Xtacking 3.0体系结构,4日3 d NAND将军(1 tb TLC死,可能232 l 6-plane设计)。

关于Optane XPoint记忆绕组从英特尔最近宣布,在FMS 2022会议上举行了特别会议。查克·索贝(FMS会议主席),一些分析师(Coughlin汤姆,吉姆方便和戴夫Eggleston)回顾了历史,商业,和问题,加上一些英特尔的家伙。简而言之,Optane (XPoint内存)不合理,也不会成为未来的一部分产品。尽管Optane XPoint记忆是接近尾声,它奠定了持久记忆的价值,并用于设计和制造创新的存储系统。此外,它真的帮助推动CXL接口内存技术的发展。

一些教训在会话和讨论;