Jeongdong Choe，高级技术研究员
Choe Jeongdong博士是TechInsights的高级技术研究员，在DRAM、（V）NAND、SRAM和逻辑器件的半导体工艺集成方面拥有近30年的经验。他定期向TechInsights Memory用户提供博客内容。
Choe Jeongdong博士是TechInsights的高级技术研究员，在DRAM、（V）NAND、SRAM和逻辑器件的半导体工艺集成方面拥有近30年的经验。他定期向TechInsights Memory用户提供博客内容。
2020年10月8日
三星最终发布了128L（136T）的V6 V-NAND，其中每个垂直NAND串的总门数为136（136T）。与三星V5 92L V-NAND相比，共增加了36个堆叠门。三星980 Pro PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD产品使用其新一代3D NAND 128L。历史上，三星在Pro SSD系列中采用了MLC NAND，例如，970 Pro SSD采用MLC（64L），而Evo和Evo+则保持TLC（64L和92L）。然而，980 Pro转为TLC（128L）。
256Gb模具平面图（图1）显示了一个排成一行的四平面模具，这对于3D NAND模具设计来说是独一无二的。136个栅极（包括5个虚拟WL和3个堆叠用于NAND串和垂直通道（VC）孔的选择器）通过单个VC蚀刻工艺集成，这意味着它们保持1层（甲板）结构，具有非常高的纵横比（HAR）等离子蚀刻工艺，不同于KIOXIA/WDC、SK Hynix和Micron/Intel的2层工艺。三星对GSL通道区和W CSL保持SEG过程。
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