Qualcomm Snapdragon 835前至10 nm

发布时间：2017年4月24日
贡献作者：Andy Wei

与第一组三星Galaxy S8拆除，我们现在可以访问第一个在“10 nm”类技术上产生的SOC。首先是10 NM生产终点线是Qualcomm Snapdragon 835，建于三星LSI铸造的10 NM LPE技术。并行，三星的自己的Exynos 8895同时发布，我们希望在我们的第二组三星Galaxy S8拆除中找到这些。

Qualcomm Snapdragon 835的芯片尺寸为72.3毫米²。与113.7毫米的Snapdragon 820的芯片尺寸相比²，这代表了36％的模尺寸缩小。Qualcomm Snapdragon 835似乎主要是Snapdragon 820/821系列的缩小，在类似的IP块中升级，但没有添加新的主要IP块。但是，CPU有重大变化。Snapdragon 820系列使用非常大的2 + 2大型实现，在移动应用处理器中似乎不合适。我们怀疑kyro是重新使用专为高通公司的ARM服务器野心设计的核心。Snapdragon 835在Kyro 280中使用更具手臂式的4 + 4大小的实现，这是我们在Hisilicon Kirin 960中看到的ARM CoreTex-A73 / A53实现的衍生物。

CPU的这种重大变化偏离整体芯片尺寸减小，具有更明显的规模因素的外观。但是，在具有更多微小变化的功能块中查看功能块，例如adreno 530到adreno 540 gpu mp单元，我们看到更接近25％的面积尺度。无论这是否指示真正的比例因子，或者这是复杂性的并发增加的结果，以利用面积尺度，不可能确定而无需进一步分析。为了评估Qualcomm对三星的10 nm LPE技术的实施，我们必须在功能块水平和标准单元格层面上详细介绍，以规格栅极密度增益和每个门缩放改进的成本。为了准确评估，我们在功能块水平，标准电池和利用率，过程分析和晶体管表征中发起了广泛的分析。我们可以将这些与Samsung 14LPE和14LPP的分析进行比较，以获得实际规模因子，成本规模和性能差异。然后，我们将其与我们在英特尔，Apple，Mediatek，Hisilicon等的分析图书馆进行比较。

这是一个激动人心的时刻。在非常高的创新中，克服物理缩放限制并保持传统的成本和性能缩放，我们正在分析第一次进入“10 nm”课程技术。与14/16nm的所有球员相比，这票价如何？特别是，这种情况如何适应英特尔最近对行业的挑战，以报告实际晶体管密度作为技术指标？我们的分析开始缩小到门级别，请更详细。