逻辑分析博客
高通双源骁龙8(+)Gen1 SOC
TechInsights证实台积电N4是一个真正的光学收缩N5节点
李泽楷
约翰·博伊德
在最近的记忆中，高通第一次与三星(4LPX)和台积电(N4)同时采购骁龙8(+)Gen1 SoC。这使得我们TechInsights能够比较两个不同铸造厂制造的共同设计。
我们之前的报告显示，台积电的N4E工艺(用于Mediateck的Dimensity 9000的台积电N4工艺的早期版本)带有掩模减少但没有收缩。你可能想知道台积电的N4工艺是否真的是N5的光学收缩?现在，我们有了答案:
在我们最近发布的关于台积电N4上的骁龙8(+)Gen1 SoC的First Look报告中，我们确认了制造骁龙8(+)Gen1 SoC的台积电N4技术是从台积电N5节点上真正的光学收缩。
比特单元进一步缩小(最小缩小4%)，而其他技术特征与前几代技术共享，并在techhinsights的First Look报告中总结(现在对我们的订阅者开放)。
图1:高通骁龙8 Gen 1 SoC的平面图
图2:高通骁龙8+ Gen1 SoC的平面图
图3:通过高密度库逻辑块的透射电镜截面
图4:通过高密度库逻辑块的透射电镜截面
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