DRAM记忆技术micrond1α，'14 nm'！DRAM上最先进的节点!
D1α!这是14海里!在快速查看之后MicronD1α模具（模具标记：Z41C）和细胞设计，它是DRAM中最先进的技术节点。此外，它是第一次级15nm小区集成的DRAM产品。Micron Z41C模具从MT40A1G8SA-062E中取出：R（FBGA代码：D8BPJ）是最先进的8 GB DDR4-3200（数据速率= 3200吨/秒）SDRAM，应用了Micron的D1α技术。微米将其称为40％的密度与D1z改善，通过设计效率驱动〜10％。
TechInsights的内存专家一致认为，Micron D1α (1-alpha)，“14纳米”显示了广阔的系统设计应用，如:
- 高级移动平台
- 企业服务器
- 客户端系统
- 网络基础设施
- 存储连接
- 人工智能和机器学习
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Micron的D1αDRAM产品使用基于ARF-I的光刻，无需EUVL Photomask施用
尽管D1y和D1z DRAM DDR4 / LPDDR4 LPDDR5产品主要市场,微米成功开发并开始航运D1αDRAM芯片自4 q2020(图1)。微米D1α过程集成技术和设计/性能已经吸引了大量的公众注意力,因为D1α一代将是第一个sub-15nm单元设计。此外，美光的D1α DRAM产品使用的是基于ArF-i的光刻技术，没有应用EUVL掩模，这与三星的EUVL DRAM缩放战略有很大不同。
图1所示。美光DRAM技术路线图。2021年将扩大D1α批量生产。
D1α DRAM器件分析与竞争规格
给定模具容量和模具尺寸(25.41 mm2)，钻头密度为0.315 Gb/mm2这是行业最高的迄今为止最高的DRAM密度。以前的D1Z DDR4 DRAM来自工业的死亡率0.299 GB / mm2(三星8gb Non-EUVL D1z DDR4)， 0.247 Gb/mm2（Micron 16 GB D1Z DDR4）和0.296 GB / mm2（SK Hynix 16 GB D1Z DDR4 C-Die），这意味着微米从D1Z增加〜28％的比特密度。
从单元尺寸趋势，如图2所示，DRAM单元尺寸已缩小并打开。蓝色方形显示三星，灰色圆圈显示微米的DRAM细胞尺寸。直到D1X一代，三星和微米之间，他们有一点技术差距，总是三星为每一代带来微米。然而，对于D1Y的一代，差距变得更大，所有大三大公司都表现出与D1Z生成相同的细胞大小。最近，Micron成功地赶上了Samsung的D1z生成，并且在今年的市场上已经推出了他们的新产品和先进的D1α发电产品。我们发现和快速观看的微米D1α发电单元设计，细胞尺寸测量1,672 nm2这是迄今为止DRAM上最小的单元。
图3显示了Micron DRAM单元从D2x到D1α的D/R收缩比趋势。对于Micron D1z和D1α，其收缩因子分别为0.92和0.9。在DRAM上缩小单元越来越难。
图2。三巨头的DRAM单元尺寸趋势;三星，SK海力士，美光，D3x到D1α
图3。从D2x到D1α，微米DRAM电池的收缩比趋势
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