这里,我们有英特尔2ndXPoint内存死了!
最后,我们找到了英特尔XPointTM第二代内存死的!我们已经快速查看了从英特尔OptaneTM SSD DC P5800X 400GB(型号:SSDPF21Q400GB)中移除的模具,它由8个存储设备组成,封装标记为29P64B14MDSG1,刚刚确认了它,具有4层XPoint存储层,有效的1F2单元结构。
XPoint新兴内存技术规范
英特尔去年年底公布了Optane SSD P5800X的规格,包括外形因素(U.2和E1.S)、接口(PCIe 4.0 1×4, 2×2, NVMe 1.3 3d)、ASIC/CPU(单核1.1 GHz ARM Cortex R7)、读写性能(7.4GB/s SR & SW、1.5M IOPS R4KR & R4KW)和耐久性(100dwpd)。然而,这是第一次检查新的细胞结构与4堆栈PCM/OTS集成。
TechInsights嵌入式和新兴内存主题专家同意英特尔2ndgen. XPoint内存产品展示了广泛的系统设计应用,如:
- 数据中心
- 云服务
- 实时计算
- 3 d打印技术
- 三维建模
英特尔2ndgen. XPoint模具成像
29P64B14MDSG1是一个双晶片封装的64GB设备。英特尔的1圣gen.用于Optane 800P, 900P, DC P4800X, H10和DCPMM的设备有一个32GB的单片封装。2上的键垫数nd死亡增加到85。模具S26A显示256 Gb/模具和1.31 Gb/mm2密度是1的两倍圣gen. XPoint内存芯片。图1显示了256Gb模具(顶部金属视图)的图像及其模具标记,以与之前的128Gb模具进行比较。
英特尔2ndgen. XPoint存储单元结构
WL和BL的间距为40nm,单位细胞大小相同,为0.0016µm2, 1圣的一代。4堆栈PCM / OTS层结构,有效地为1F2,集成在M4层,可能与WL/BL/WL/BL/WL堆栈。Ovonic阈值开关选择器(OTS)与器件的PCM层协同集成,与XPoint 1相同的元素圣的一代。钨(W) WL和BL层由多次沉积、光刻/蚀刻和CMP工艺组成,可能需要超过8个掩模才能实现4层存储单元结构。图2显示了2-stack (1圣Gen.)和4堆栈(2nd)电池阵列结构(SEM x-剖面图)。
比较1圣和2nd一代xpoint内存
XPoint记忆 | 1圣一代 | 2nd一代 |
---|---|---|
父产品(例如) | 英特尔Optane DC P4800x SSD |
英特尔Optane 直流P5800X SSD |
存储设备 | 29 p16b1bldnf2 (单模拉包) |
29 p64b14mdsg1 (双工位包) |
过程(技术节点) | Intel XPoint 1st gen. (20nm) | 英特尔XPoint 2 gen. (20nm) |
死的标记 | 515 c | 526年,一个 |
内存容量(DIE) | 128 GB. | 256 Gb |
模具尺寸 | 206.5毫米2 | 195.6毫米2 |
位密度 | 0.62 GB / mm2 | 1.31 Gb /毫米2 |
晶胞尺寸 | 1600毫米2 | 1600毫米2 |
#金属(不包括WLs/BLs) | 5 | 5 |
细胞设计(有效) | 2 f2 | 1 f2 |
内存结构 | M4和M5之间的2堆叠阵列 (王/提单/王) |
M4和M5之间的4堆叠阵列 (王/提单/王/提单/王) |
音高(WL,提单) | 40纳米,40纳米 | 40纳米,40纳米 |
#粘合垫(模具) | 81 | 85 |
内存数组效率 | 57.8% | 67.4% |
表1。Intel XPoint Memory设备比较表;1圣将军和2nd创。
提高外围CMOS内存效率
从我们对2ndXPoint存储芯片设计,存储阵列面积效率提高到67.4%,这意味着XPoint电池阵列的外围CMOS(互补金属氧化物半导体)电路较上一代设计良好和优化。表1显示了XPoint内存设备Gen1和Gen2的详细比较。